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公开(公告)号：CN102530708A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110449875.6
申请日：2011-12-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B66C1/10
Abstract: 本发明公开了一种起吊装置，属于起重装置领域。该起吊装置包括吊环，所述吊环下端接有轴承座，所述轴承座的下端面与轴承的外圈固定连接，并且所述轴承的中心线与所述轴承座中心线在同一直线上。所述轴承的内圈紧套在轴颈上，所述轴颈向下延伸至所述内圈外。还包括左右吊臂，所述轴颈的下端与所述左右吊臂的上端均为活动销连接，所述左右吊臂展开呈人字形。所述左右吊臂的下端分别固定在横杆的左右两端，所述横杆的左右两端还设置有竖直抓臂。该起吊装置吊环和吊臂之间可自由旋转，整个起吊装置使用方便、牢固、实用。
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公开(公告)号：CN102527654A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110453140.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种自动定量喷淋机及方法，涉及一种喷淋清洗设备，包括电源模块和蓄液箱，所述蓄液箱通过第一电磁阀与第一导流管道连接；所述第一电磁阀的控制端与控制器的第一输出端连接；所述第一导流管道的管口下方设有送液槽；所述送液槽通过第二电磁阀与第二导流管道连接；所述第二电磁阀的控制端与所述控制器的第二输出端连接；所述送液槽上还设置有光电液位传感器；所述光电液位传感器的输出端与所述控制器的第一输入端连接；所述电源模块向所述第一电磁阀、第二电磁阀、控制器供电，本发明能够控制送液装置内的液体量，有效的减少了冲洗液体的浪费，节约了清洗成本，并且实现了自动化控制，极大的提高了效率并减小了工作量。
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公开(公告)号：CN102393498A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110413452.9
申请日：2011-12-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于防止二极管反向的测试装置，包括第一测试端和第二测试端，在第一测试端和第二测试端之间搭接被测二极管，其特征在于：还包括继电器、报警器以及复位开关，其中继电器设置有常开开关、第一常闭开关和第二常闭开关；常开开关的一端与电源正极和第一测试端连接，常开开关的另一端与继电器的输入端和第二测试端连接，继电器的输出端与所述报警器的一端连接，该报警器的另一端串复位开关后与电源负极相连。其显著效果是：电路结构简单，实施方便，可以自动测试生产线上的反向材料，防止反向二极管流入成品中，测试时对元件定位要求也不高，有效提高了产品质量，增强产品质量的可靠性。
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公开(公告)号：CN119997561A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510160838.5
申请日：2025-02-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种沟槽型场效应晶体管及其制造方法，该沟槽型场效应晶体管在第二导电类型漂移区背离衬底的一侧设置栅极沟槽结构和源极沟槽结构，在源极金属层下方引入源极沟槽结构，高电场峰值会同时存在栅极沟槽结构和源极沟槽结构的底部，且源极沟槽结构底部产生的雪崩击穿电流直接沿源极沟槽流向第一导电类型欧姆接触区，以使在不改变场效应晶体管的沟道密度和耐压能力的情况下，降低位于第二导电类型源区下第一导电类型体区的电流比例，从而提高场效应晶体管的雪崩能量。
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公开(公告)号：CN119451152A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411522292.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成掺杂浓度存在差异的第二导电类型半导体体区，不大幅增加场效应晶体管的造成工艺和成本，因第二导电类型半导体体区的掺杂浓度存在差异，使得元胞之间的开启时间不同，避免了电流和热量的集中，加强场效应晶体管的抗热稳定性，且安全工作区增大，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119188889A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411574030.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 章发国
Abstract: 本发明属于机械设备技术领域，提供一种自动裁切设备。本发明包括机架设置有放置平台；移动平台机构设置在所述放置平台上，包括工作平台、第一移动组件和第二移动组件，所述第一移动组件能够带动所述工作平台沿第一方向移动，所述第二移动组件能够带动所述工作平台沿第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向水平垂直设置；检测机构设置在所述机架上并位于所述工作平台的上方，用于检测放置在所述工作平台上的产品的局部缺陷；裁切机构设置在所述机架上，包括相配合的上裁切组件和下裁切组件，当所述检测机构检测到所述产品的局部缺陷后，以将所述产品的局部缺陷切掉。本发明可以准确切除产品的局部缺陷。
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公开(公告)号：CN118951476A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411113336.9
申请日：2024-08-14
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点
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公开(公告)号：CN118483571A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410664812.X
申请日：2024-05-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R19/00 , G01R15/18
Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路及其控制方法，该电路包括：电源模块、驱动模块、电压采样模块及电流采样模块，基于电源模块提供电源电压，通过脉冲信号对开关管进行驱动，电压采样模块对电阻进行电压采样，得到采样电压，通过电流采样模块对电流进行采样，得到第一采样电流，并通过匹配电阻和匹配电容将第一采样电流的相位校准至采样电压的相位，因该方案的采样带宽高于传统的一些采样方案，故可以提高采样结果的可靠高且采样成本更低，适合广泛使用。
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公开(公告)号：CN117825852A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014885.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
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公开(公告)号：CN117790568A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738372.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供一种具有组合沟道的鳍型场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分远离侧壁一端中；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层和第一导电层的第一部分上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分并与侧壁接触；栅金属层覆盖栅氧介质层；钝化层覆盖栅金属层；第二导电层设置于凸出部顶端；源极金属层设置于第二导电层上且通过钝化层与第一导电层、栅氧介质层、栅金属层分隔。
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