公开(公告)号：CN118841328A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411129797.5

申请日：2024-08-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陶霖 ,  杨林森 ,  李吕强 ,  周秀兰 ,  唐玉玲 ,  彭雨桐 ,  彭海霞 ,  冯海燕 ,  彭袋凌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成第一导电类型半导体源区时，不增加场效应晶体管的造成工艺和成本，使得不同区域的第一导电类型半导体源区的掺杂浓度不同，因场效应晶体管的沟道密度降低，有效降低了寄生三极管的基极压降，减少寄生三极管开启的风险，增强了场效应晶体管的抗热不稳定性和安全工作区，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。

公开(公告)号：CN119997561A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510160838.5

申请日：2025-02-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李吕强 ,  陶霖 ,  唐玉玲 ,  杨林森 ,  周秀兰

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23

Abstract: 本申请提供一种沟槽型场效应晶体管及其制造方法，该沟槽型场效应晶体管在第二导电类型漂移区背离衬底的一侧设置栅极沟槽结构和源极沟槽结构，在源极金属层下方引入源极沟槽结构，高电场峰值会同时存在栅极沟槽结构和源极沟槽结构的底部，且源极沟槽结构底部产生的雪崩击穿电流直接沿源极沟槽流向第一导电类型欧姆接触区，以使在不改变场效应晶体管的沟道密度和耐压能力的情况下，降低位于第二导电类型源区下第一导电类型体区的电流比例，从而提高场效应晶体管的雪崩能量。

公开(公告)号：CN119451152A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411522292.5

申请日：2024-10-29

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 杨林森 ,  周秀兰 ,  唐玉玲 ,  李吕强 ,  陶霖

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/66 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成掺杂浓度存在差异的第二导电类型半导体体区，不大幅增加场效应晶体管的造成工艺和成本，因第二导电类型半导体体区的掺杂浓度存在差异，使得元胞之间的开启时间不同，避免了电流和热量的集中，加强场效应晶体管的抗热稳定性，且安全工作区增大，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。