公开(公告)号：CN119604974A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202280005704.0

申请日：2022-08-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小岛充 ,  竹林央史

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10为：半导体制造装置用部件的一例，其具备：陶瓷板20、陶瓷板贯通孔24、基板30、基板贯通孔34、绝缘套筒50、以及套筒贯通孔54。套筒贯通孔54沿着上下方向贯穿绝缘套筒50，且与陶瓷板贯通孔24连通。绝缘套筒50插入于基板贯通孔34，外周面50c借助粘接层60而被粘接于基板贯通孔34的内周面。绝缘套筒50在除绝缘套筒50的上端部56以外的绝缘套筒50的外周面50c具有至少1个圆环状的外周沟52。

公开(公告)号：CN113597552B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202080017366.3

申请日：2020-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大西谅 ,  渡边悠介 ,  日野隆志 ,  幸岛康英

IPC: G01N27/409 ,  G01N27/41 ,  G01N27/416 ,  G01N27/419

Abstract: 本发明提供一种气体传感器的传感器元件，其具备末端保护层，该末端保护层为在传感器元件的元件基体中的起始自具备监测部的那侧的端部的规定范围的外周部设置的多孔质层，末端保护层包括：第一末端保护层，其设置在元件基体的2个主面上；第二末端保护层，其设置成将该端部和包含形成有第一末端保护层的2个主面在内的元件基体的4个侧面覆盖；以及第三末端保护层，其设置成将第二末端保护层覆盖，且气孔率小于第二末端保护层的气孔率，第一末端保护层具有40％以上的气孔率，元件基体的长度方向上的以元件基体的端面为起点的第一末端保护层、第二末端保护层及第三末端保护层的延伸长度分别设为L1、L2及L3时，L1≥L2且L1≥L3。

公开(公告)号：CN114388400B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202111198426.9

申请日：2021-10-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  渡边玲雄 ,  岩田祐磨

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B3/02 ,  H05B3/22

Abstract: 本发明提供一种能够防止供电部件从位于板侧安装位置的端子脱落的晶片载置台。陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(20)、电极(第一及第二加热器电极(21、22))、第一及第二供电部件(31、32)、板侧的第一及第二端子孔(23a、24a)、电源侧的第一及第二安装孔(61、62)以及方向转换部件(50)。第一及第二安装孔(61、62)在俯视时与第一及第二端子孔(23a、24a)偏离。方向转换部件(50)将第一供电部件(31)以从第一安装孔(61)向第一端子孔(23a)强制地进行了方向转换的姿势进行保持，并将第二供电部件(32)以从第二安装孔(62)向第二端子孔(24a)强制地进行了方向转换的姿势进行保持。

公开(公告)号：CN113223991B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202110138555.2

申请日：2021-02-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热器，静电卡盘加热器(20)具备陶瓷板(22)、静电电极(24)、第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)、以及第一区域气体槽(41)和第二区域气体槽(42)。陶瓷板(22)在表面具备晶片载置面(22a)。静电电极(24)埋设于陶瓷板(22)中。第一区域加热器电极(31)和第二区域加热器电极(32)与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的加热器区域分别对应地埋设于陶瓷板(22)中，能够单独地供给电力。区域气体槽(41、42)与加热器区域独立地且与将晶片载置面(22a)分割成多个而得到的气体供给区域分别对应地设置，能够单独地供给气体。

公开(公告)号：CN119486798A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050766.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  柴垣行成 ,  中川刚佑 ,  前原宗太 ,  菅博史

IPC: B01D63/06

Abstract: 分离膜模块(1)具备：筒状的壳体(20)；柱状的反应器(10)，其收容于壳体(20)，并沿长度方向延伸；以及环状的第一凸缘(30)，其包围反应器(10)的第一端部(10a)。在长度方向上，反应器(10)的第一端面(F2)位于比第一凸缘(30)的端面(K1)靠外侧的位置。

公开(公告)号：CN115954252B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202210678561.1

申请日：2022-06-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  井上靖也 ,  竹林央史

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。

公开(公告)号：CN119366110A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380033841.X

申请日：2023-04-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山寺乔纮 ,  窟裕二

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种复合基板，其能够有助于SAW滤波器的高性能化。本发明的实施方式所涉及的复合基板具备：支撑基板，其具有相互对置的上表面及下表面；压电层，其配置于所述支撑基板的所述上表面侧；以及中间层，其配置于所述支撑基板与所述压电层之间，在所述支撑基板的所述上表面侧的端部形成有结晶性比位于所述下表面侧的区域低的低结晶性区域。

公开(公告)号：CN119365973A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202280008554.9

申请日：2022-06-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  石川征树

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材21，其上表面具有晶片载放面21a，且内置有电极22；第一冷却基材23，该第一冷却基材23是金属与陶瓷的复合材料制的或低热膨胀金属材料制的；金属接合层25，其将陶瓷基材21的下表面和第一冷却基材23的上表面接合；第二冷却基材30，其内部形成有冷媒流路35；散热片40，其配置于第一冷却基材23的下表面与第二冷却基材30的上表面之间；螺纹孔24，其在第一冷却基材23的下表面呈开口；贯通孔36，其设置于与螺纹孔24对置的位置，且沿着上下方向贯穿第二冷却基材30；以及螺纹部件50，其自第二冷却基材30的下表面被插入于贯通孔36，且被螺合于螺纹孔24。

公开(公告)号：CN113506777B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202110773748.5

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L23/14 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。

公开(公告)号：CN119095657A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380039568.1

申请日：2023-04-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤良夫 ,  山田和成

IPC: B01D9/02

Abstract: 一种分析装置（10），具备：接受部（11），其接受对分析对象的晶体的析出造成影响的参数；预测部（13），其基于所接受的参数，来预测要析出的晶型的种类；评价部（14），其基于参数对分析对象的晶体的析出造成影响的程度即影响度，来评价要析出的晶型的种类与参数的关联；以及提供部（15），其将要析出的晶型的种类以及析出条件作为析出的晶体的晶型信息提供给用户。由此，提供对于采取多晶型的分析对象能够预测要析出的晶型的种类和各个晶型的析出条件的分析装置以及分析方法。