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公开(公告)号：CN119365973A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202280008554.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材21，其上表面具有晶片载放面21a，且内置有电极22；第一冷却基材23，该第一冷却基材23是金属与陶瓷的复合材料制的或低热膨胀金属材料制的；金属接合层25，其将陶瓷基材21的下表面和第一冷却基材23的上表面接合；第二冷却基材30，其内部形成有冷媒流路35；散热片40，其配置于第一冷却基材23的下表面与第二冷却基材30的上表面之间；螺纹孔24，其在第一冷却基材23的下表面呈开口；贯通孔36，其设置于与螺纹孔24对置的位置，且沿着上下方向贯穿第二冷却基材30；以及螺纹部件50，其自第二冷却基材30的下表面被插入于贯通孔36，且被螺合于螺纹孔24。
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公开(公告)号：CN119585859A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202280006007.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材20，其具有晶片载放面20a；加热器电极30，其植入于陶瓷基材20；平面形状的上方跳线层40，其设置于有别于加热器电极30的另一层；内部导通柱42，其将上方跳线层40和加热器电极30的一端连接；以及供电导通柱46，其与上方跳线层40连接。上方跳线层40处的内部导通柱42和供电导通柱46的中心间距离为50mm以上。
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公开(公告)号：CN113170539B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201980077623.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 陶瓷加热器10具备陶瓷板20、主电阻发热体22和副电阻发热体23、25。主电阻发热体22是在陶瓷板20的内部设置于与晶片载置面20a平行的第一面P1上的线圈状的发热体。副电阻发热体23、25在陶瓷板20的内部设置于与第一面P1平行且位于第一面P1与晶片载置面20a之间的第二面P2上，是对基于主电阻发热体22的加热进行补充的二维形状的发热体。
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公开(公告)号：CN113056961A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076037.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(20)、主电阻发热体(22)以及副电阻发热体(24)。主电阻发热体(22)设置在陶瓷板(20)的内部，是从一对主端子(22a、22b)中的一方起按一笔画的要领进行布线后到达一对主端子(22a、22b)中的另一方的线圈。副电阻发热体(24)设置在陶瓷板(20)的内部，是对基于主电阻发热体(22)的加热进行补充的二维形状的发热体。
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公开(公告)号：CN119968700A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202280007295.8
申请日：2022-10-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面至少具有晶片载放部22；冷却板30，其接合于陶瓷板20的下表面，且具有冷媒流路32；气体通用路径51b、52b、53b，其设置成比冷媒流路32更靠上方；气体导入路径51a、52a、53a，其从冷却板30的下表面分别通至各个气体通用路径51b、52b、53b；以及气体分配路径51e、52e、53e，其相对于各个气体通用路径51b、52b、53b而设置有多个。配置于陶瓷板20的最外周的气体分配路径53e设置于俯视不与冷媒流路32重叠的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119698691A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202280006069.8
申请日：2022-09-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台(10)的上部基材(20)具备内置有电极(22)的陶瓷基材(21)，在陶瓷基材(21)的上表面具有晶片载放面(21a)。下部基材(30)配置在上部基材(20)的下表面侧，具备制冷剂流路(35)。贯通孔(36)沿上下方向贯通下部基材(30)。突起(38)呈点状设置在下部基材(30)的整个上表面，与上部基材(20)的下表面抵接。散热片(40)具有插入突起(38)的突起插入孔(44)，以在上部基材(20)和下部基材(30)之间被压缩的状态配置。螺纹孔(24)设置于上部基材(20)的下表面中与贯通孔(36)对置的位置，螺纹部件(50)从下部基材(30)的下表面插入贯通孔(36)而与螺纹孔(24)螺合。导热膏(60)介于突起(38)的侧面与散热片(40)的突起插入孔(44)的内周面之间。
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公开(公告)号：CN116744481A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211285014.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器，其容易使整个晶片载放面的温度变得均匀。陶瓷加热器(20)具备：陶瓷板(21)，其表面具有晶片载放面；区段加热器，其与将陶瓷板(20)的表面分割为多个得到的区段分别对应地植入于陶瓷板；端子(27)，其借助陶瓷板(21)的内部配线而与区段加热器的端部连接；端子集中区域(F1～F7)，其中集中配置有多个端子(27)；端子空缺区域(E1～E17)，其中未配置端子。该陶瓷加热器(20)中，作为区段加热器，具备在与端子集中区域(F1～F7)对应的区段所设置的端子集中区域对应区段加热器、以及在与端子空缺区域(E1～E14)对应的区段所设置的端子空缺区域区段加热器。
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公开(公告)号：CN114916100A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111244168.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷加热器，其防止在制造时、使用时在陶瓷基体上产生裂纹。本发明的陶瓷加热器，具备埋设于陶瓷基体的内周侧区域的内周侧电阻发热体、埋设于陶瓷基体的外周侧区域的外周侧电阻发热体、对外周侧电阻发热体供电的外周侧供电端子、以及连接外周侧电阻发热体和外周侧供电端子的金属网制的跳线(36a、36b、37a、37b、38a、38b)。跳线(36a等)埋设于与设置有内周侧电阻发热体的平面、设置有外周侧电阻发热体的平面不同的跳线埋设面。跳线(36a等)由将跳线埋设面的金属网圆板分割成多个而成的网状电极构成。
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公开(公告)号：CN114864435A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210096313.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体制造装置用构件以及塞子，抑制经由气体流路的绝缘击穿。半导体制造装置用构件(10)具备：陶瓷板(20)，其在上表面具有晶片载置面(20a)；塞子(40)，其设置于陶瓷板(20)的下表面(20b)侧且具有致密质的主体部(45)和一边弯曲一边在厚度方向上贯通主体部(45)的气体流路部(46)；气体放出孔(28)，其在厚度方向上贯通陶瓷板(20)并与气体流路部(46)的上方连通；以及金属制的冷却板(60)，其与陶瓷板(20)的下表面(20b)接合并具有从气体流路部(46)的下方供给气体的气体供给通路(64)。在塞子(40)中，气体流路部(46)的全长中的至少一部分区间是多孔质(47)。
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公开(公告)号：CN111095521A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880056716.X
申请日：2018-10-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的晶片载置台(10)，在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。
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