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公开(公告)号：CN114864435A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210096313.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体制造装置用构件以及塞子，抑制经由气体流路的绝缘击穿。半导体制造装置用构件(10)具备：陶瓷板(20)，其在上表面具有晶片载置面(20a)；塞子(40)，其设置于陶瓷板(20)的下表面(20b)侧且具有致密质的主体部(45)和一边弯曲一边在厚度方向上贯通主体部(45)的气体流路部(46)；气体放出孔(28)，其在厚度方向上贯通陶瓷板(20)并与气体流路部(46)的上方连通；以及金属制的冷却板(60)，其与陶瓷板(20)的下表面(20b)接合并具有从气体流路部(46)的下方供给气体的气体供给通路(64)。在塞子(40)中，气体流路部(46)的全长中的至少一部分区间是多孔质(47)。
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公开(公告)号：CN113710444B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201980095692.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种三维烧成体的制法，包括：(a)用有机材料制作成型模具的工序，该成型模具具有与具备在外表面开口的中空部分的成型体相同形状的成型用空间且一体化有与中空部分对应的型芯；(b)通过将陶瓷浆料注入成型模具的成型用空间并使其固化而在成型模具内制作成型体的工序；(c)将成型体干燥之后进行脱脂的工序，其中，在将成型体干燥之前、干燥过程中、干燥之后且脱脂之前、脱脂过程中以及脱脂之后的任一阶段使成型模具消失的工序；以及(d)对成型体进行烧成而得到三维烧成体的工序。
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公开(公告)号：CN113710444A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201980095692.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种三维烧成体的制法，包括：(a)用有机材料制作成型模具的工序，该成型模具具有与具备在外表面开口的中空部分的成型体相同形状的成型用空间且一体化有与中空部分对应的型芯；(b)通过将陶瓷浆料注入成型模具的成型用空间并使其固化而在成型模具内制作成型体的工序；(c)将成型体干燥之后进行脱脂的工序，其中，在将成型体干燥之前、干燥过程中、干燥之后且脱脂之前、脱脂过程中以及脱脂之后的任一阶段使成型模具消失的工序；以及(d)对成型体进行烧成而得到三维烧成体的工序。
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