-
公开(公告)号：CN115001443A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210838730.3
申请日：2022-07-18
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种谐振装置的封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，其中封装结构包括：至少一个谐振装置，至少一个谐振装置包括第一层与第二层，第二层位于第一层上，第一层至少包括基底，第二层至少包括电极层；封装层，位于第一层上，覆盖第二层；空腔，位于至少一个谐振装置与封装层之间；其中，封装层包括空腔罩层与密封层；空腔罩层，位于第一层上，覆盖空腔；密封层，位于第一层上，覆盖空腔罩层。在主晶圆的每个晶片上设置封装层，覆盖位于主晶圆每个晶片上的至少一个谐振装置，封装层采用气相沉积的方法形成，封装层的成本低于封装晶圆；此外，与金属键合封装晶圆进行封装相比，产品良率较高。
-
公开(公告)号：CN115001434A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111594024.0
申请日：2021-12-23
申请人： 珠海晶讯聚震科技有限公司
发明人： 卓尔·赫尔维茨
摘要： 本发明涉及一种声学谐振器，所述声学谐振器具有第一电极，所述第一电极具有第一平面部分。具有第二平面部分的第二电极设置成平行于所述第一平面部分。所述第二电极具有限定间隙的分叉端部。压电层设置于所述第一平面部分和所述第二平面部分之间并且接触两者。所述第二电极的所述分叉端部也接触所述压电层。所述间隙形成于滤波器内的每个谐振器的周边中。所述间隙形成于顶部电极中，所述顶部电极通常由钼形成，但也可由其它金属形成。不同于顶部电极和压电材料之间的间隙，本文所叙述的所述间隙整体地处于所述第二电极内。这种结构兼容内部钝化层，所述内部钝化层实现了单晶压电层和较大底部电极。
-
公开(公告)号：CN114978093A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210493976.1
申请日：2022-05-08
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/54 , H03H9/64 , H03H9/13 , H03H9/145 , H03H9/02 , H03H3/02 , H03H3/08
摘要： 本发明实施例提供了一种声波谐振器、滤波器、通信设备及其制造方法，其中所述声波谐振器包括：衬底；凹陷部，形成在所述衬底内或所述衬底上的外延层内，所述凹陷部在所述衬底表面或所述外延层表面具有开口轮廓；下电极，与所述开口轮廓所处平面接触；压电层，形成在所述下电极上；上电极，形成在所述压电层上；其中所述下电极的下电极轮廓与所述开口轮廓具有至少三个交点，第一直线与第一部分轮廓的交点到质心的距离大于第一直线与第二部分轮廓的交点到质心的距离。
-
公开(公告)号：CN114866065A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210496737.1
申请日：2022-05-09
申请人： 上海芯波电子科技有限公司
摘要： 本发明适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种混合叠放式滤波器芯片。所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。
-
公开(公告)号：CN114531135B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210436197.8
申请日：2022-04-25
申请人： 深圳新声半导体有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H03H9/10 , H03H3/08 , H03H9/64 , H01L23/31 , H01L23/552
摘要： 本发明提出了一种用于SAW filter CSP形式的封装结构，所述封装结构包括芯片组；所述芯片组内的多个芯片中的部分芯片嵌入设置于所述封装结构的基板内，所述芯片组内的多个芯片中的另一部分芯片嵌入设置于所述封装结构的盖板内；所述基板内设置有多个金属铜层；所述金属铜层用于对嵌入设置于所述封装结构的基板内的芯片和嵌入设置于所述封装结构的盖板内的芯片进行信号连接及电磁屏蔽。
-
公开(公告)号：CN114337588B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210189402.5
申请日：2022-03-01
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底内的金属扩散部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、若干第一电极条、若干第二电极条，第一总线与第二电极条之间具有第一间隔，第二总线与第一电极条之间具有第二间隔，第一电极条和第二电极条交替排布；位于电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层。从而，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。
-
公开(公告)号：CN114785315A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210707770.4
申请日：2022-06-22
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种可开关式声波滤波器、模组及制作方法，包括串联支路、并联支路及两个高迁移率晶体开关管，所述两个高迁移率晶体开关管设置在串联支路的两端，所述高迁移率晶体开关管与串联支路及并联支路集成在同一芯片，可开关式滤波器模组可由多个不同频段不同种类的可开关式声波滤波器单片集成，可实现多频段可重构的滤波功能。本发明实现了传统射频前端中的声波滤波器与射频开关的融合与集成，提高了射频前端的整体性能并减小了尺寸。
-
公开(公告)号：CN114531134B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210427874.X
申请日：2022-04-22
申请人： 深圳新声半导体有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H03H9/10 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/54 , H03H9/64 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/31
摘要： 本发明提出了一种用于薄膜滤波器芯片级封装的方法和结构。所述方法包括提供待封装晶圆底衬，并在所述待封装晶圆底衬上设置带有多个凸起的晶圆安装凹槽；其中，所述凸起包括第一支撑凸起、第二支撑凸起和间隔凸起；利用第一支撑凸起和第二支撑凸起将所述薄膜滤波器的芯片晶圆倒装设置在所述晶圆安装凹槽内，并将所述芯片晶圆和待封装晶圆底衬之间建立金属导体连接关系；在所述芯片晶圆上设置塑封层进行塑封，并且，所述芯片晶圆的金属凸点的上表面外露于所述塑封层的上表面；在所述塑封层上设置密封及导电连接结构。
-
公开(公告)号：CN113922778B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010663857.7
申请日：2020-07-10
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例公开的一种滤波器用压电衬底结构及其制备方法，包括依次层叠的压电基板、第一低声阻层、第二低声阻层和支撑基板，其中，第一低声阻层与第二低声阻层表面通过等离子体活化后键合。第一低声阻层与第二低声阻层之间的水分子可以扩散至第一低声阻层与第二低声阻层内，从而避免了水汽的产生使压电基板产生气泡缺陷；另外，第一低声阻层的存在能够有效地阻挡第一低声阻层与第二低声阻层之间的水分子中H与压电基板中Li的质子交换，从而保证了压电基板原有的压电性能；再有，因为在压电基板与第一低声阻层之间不存在水膜，所以，与现有技术相比，还能够提高第一低声阻层与第二低声阻层的声阻作用，降低声表面波滤波器的射频信号损耗。
-
公开(公告)号：CN114629463A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111612606.7
申请日：2021-12-27
申请人： 厦门云天半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法，该封装结构包括玻璃基板和多个滤波器芯片，两者之间相对设置并通过导电键合物连接以形成空腔，滤波器芯片的谐振区设置在空腔中，通过玻璃基板上的基板焊盘、金属互连结构与滤波器芯片的芯片焊盘实现电性互连，并在玻璃基板上设有与金属互连结构连接的电感结构，将电感结构与滤波器芯片进行集成，玻璃基板上的金属互连结构上设有覆盖在基板焊盘以外区域上的钝化层，钝化层的上表面高于基板焊盘的上表面以形成对位区域，因此可以确保滤波器芯片对位键合到玻璃基板上，并且在玻璃基板和滤波器芯片上方还设置了保护层，提高器件的可靠性，集成3D电感可避免额外的寄生效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1313 条记录 (耗时 0.054 秒)
