一种毫米波高效率缝隙天线子阵及相控阵天线

    公开(公告)号:CN114759364B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202210341518.6

    申请日:2022-04-02

    摘要: 本发明公开了一种毫米波高效率缝隙天线子阵及相控阵天线,由下至上包括堆叠设置的若干介质基板,所述第一层介质基板的上表面设置下金属地板,所述第三层介质基板的上下表面设置馈电线,所述馈电线相互连接形成双面馈电线,所述第二层介质基板及第四层介质基板分别设置下空气腔及上空气腔,所述第五层介质基板下表面设置上金属地板,所述上金属地板设置辐射缝隙。本发明在实现高效率的同时具备拓展成高效率宽角扫描相控阵天线的能力,所拓展的相控阵天线结构简单,剖面低,易于与毫米波无线能量传输系统的平面电路集成。

    一种天线
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111525248B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202010389175.1

    申请日:2020-05-09

    摘要: 本发明提供一种天线,其技术方案要点是天线包括辐射单元、移相器和反射板,所述辐射单元和移相器分设于反射板的两侧,所述辐射单元包括为辐射臂馈电的馈电片,所述移相器包括腔体,所述腔体内设有至少两层安装有不同频段的移相电路的子腔,所述馈电片依次穿过反射板、腔体和不同频段的移相电路并与不同频段的移相电路电连接。通过将辐射单元、反射板和移相器设置为层叠结构,馈电片由巴伦底部穿出并延伸至移相器的腔体内,与不同子腔内的移相电路进行连接,馈电片在给辐射单元馈入信号的同时,还起到了连接不同频段的移相电路的作用,简化了天线结构,提高了天线的可生产性。

    一种全向天线及电子设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118712749A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202411187758.0

    申请日:2024-08-28

    摘要: 本申请公开了一种全向天线及电子设备,包括印刷单极子和反射地板;印刷单极子位于全向天线的上层,反射地板位于全向天线的下层;印刷单极子包括辐射体、馈电线和寄生单元,辐射体的长度为全向天线的中心频率对应的介质波长的四分之一,馈电线的长度为全向天线的中心频率对应的介质波长的两倍;辐射体的内部包括有缝隙;寄生单元设置于辐射体远离馈电线的一侧;馈电线包括共面波导和微带线,共面波导用于与射频信号输入端的SMA同轴接头连接,微带线的一端连接共面波导,微带线的另一端连接辐射体以对辐射体进行馈电。该全向天线具有全向辐射的特性以及较高的相位中心稳定性。本申请可广泛应用于微电子天线技术领域内。

    一种相模控制单元、扫描阵列、通信设备及方法

    公开(公告)号:CN117937116B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410052226.X

    申请日:2024-01-12

    摘要: 本发明公开了一种相模控制单元、扫描阵列、通信设备及方法,属于无线通信领域。其中相模控制单元包括:缝隙天线结构,设置在第一平面上;具备边射方向图的辐射体,设置在第二平面上;当将第二平面垂直平移至第一平面时,缝隙天线结构与辐射体不发生重叠;馈电线,设置在第三平面上,且第三平面位于第一平面和第二平面之间;馈电线的两端上设有两个用于进行激励的端口。扫描阵列包括多个相模控制单元,将相模控制单元按照预设间隔排布组成相控阵。本发明相比于现有的方案仅通过控制端口间的相位差,即可实现波束在边射方向或端射方向的切换和扫描,同时不需要使用任何有源电路,保证高辐射效率、结构简单、制造成本低,利于相控阵的集成和小型化。

    一种微波-毫米波协作无线能量传输方案及资源配置方法

    公开(公告)号:CN118382147A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410194053.5

    申请日:2024-02-21

    摘要: 本发明公开了一种微波‑毫米波协作无线能量传输方案及资源配置方法。为了使网络内传感器节点的总采集能量最大化,提出了一种两阶段设计方法来实现毫米波基站内的传感器分组、传感器组内天线分配、射频链路间的功率分配、网络内充电子时隙分配的联合优化。仿真结果表明,与传统微波无线能量传输方案以及微波‑毫米波协作输能参考方案相比,本发明所提方案显著提高了网络内传感器节点的总采集能量。此外,仿真结果还表明,与参照方法相比,本发明所提方案在传感器配对过程的收敛性和有效性方面具有优势。

    一种线性稳压器、芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN118192729A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410185305.8

    申请日:2024-02-19

    IPC分类号: G05F1/56

    摘要: 本发明公开了一种线性稳压器、芯片及电子设备,包括带隙基准电路、电压控制模块、低通滤波电路和线性稳压电路,其中,线性稳压电路使用了双环路设计,包括第一环路和第二环路,使用了两级误差放大器的窄带第一环路可实现线性稳压器的低噪声和在低频时良好的电源抑制性能,使用了三极管放大级的第二环路是一个环路增益较大的宽带环路,可实现线性稳压器在中频时良好的电源抑制性能,线性稳压电路中还运用了瞬态改善电路,可减小负载切换时输出电压的过冲电压和下冲电压。本发明可广泛应用于通信、雷达、物联网等领域。

    一种多核多模压控振荡器及芯片

    公开(公告)号:CN117335749B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311440565.7

    申请日:2023-10-31

    IPC分类号: H03B5/12

    摘要: 本发明公开了一种多核多模压控振荡器及芯片,属于电子通信技术的毫米波前端电路领域。其中压控振荡器包括:若干个多模谐振器,所述多模谐振器包括六个端口A~F;包括三个差分线圈L1、L2、LA和调谐电容C1、C2;两个振荡核心,振荡核心产生的负阻抗将会抵消谐振器的损耗;第一振荡核心连接端口A、B,第二振荡核心连接端口C、D;三个开关组,其中第一开关组和第二开关组均连接两个振荡核心,用于控制两振荡核心之间的相位关系,从而控制多模谐振器中变压器的耦合状态;第三开关组连接端口E、F,用于控制差分线圈LA上产生的电流方向。本发明通过引入额外电感的磁耦合拓展技术,可以在不增加振荡核心的前提下增加振荡模式。

    多路增益提升双路噪声抵消电路、放大器、芯片及设备

    公开(公告)号:CN118117973A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410189411.3

    申请日:2024-02-20

    IPC分类号: H03F1/26 H03F1/56 H03F3/193

    摘要: 本发明公开了一种多路增益提升双路噪声抵消电路、低噪声放大器、芯片及设备。其中电路包括输入匹配网络、第一级CS共源放大器、CG共栅放大器和第二级CS共源放大器;输入匹配网络的一端作为多路增益提升双路噪声抵消电路的输入端,另一端连接至第一级CS共源放大器的输入端;第一级CS共源放大器的输出端同时连接CG共栅放大器的输入端和第二级CS共源放大器的输入端,第二级CS共源放大器的输出端作为多路增益提升双路噪声抵消电路的输出端。本发明同时采用了共源‑共栅结构和共源‑共源结构相交叠组合进行噪声抵消,增益提升。本申请可广泛应用于通信技术领域。

    一种混合声波滤波器的优化方法

    公开(公告)号:CN117240249B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202311216664.7

    申请日:2023-09-19

    IPC分类号: H03H9/48 G06F17/16 G06N3/006

    摘要: 本发明公开了一种混合声波滤波器的优化方法,属于射频滤波器领域。其中方法包括:S1、设定滤波器的目标性能参数;S2、预设滤波器的拓扑结构与支路数;S3、设定滤波器的变量个体,群体数量,最大迭代次数,参数优化范围;S4、群体初始化;S5、适应度评价;S6、拥挤度计算与非支配排序;S7、判断最优个体是否满足终止条件;S8、若满足,输出滤波器结构;反之,优化算法更新群体,并返回执行步骤S5。本发明提供了一种滤波器拓扑结构设计的新思路,在工程中减少了人力与时间成本,使声波滤波器的设计不再高度依赖于技术人员的经验。

    一种交叉耦合输入的自混频二倍频器

    公开(公告)号:CN117879498A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311811983.2

    申请日:2023-12-26

    IPC分类号: H03B19/14

    摘要: 本发明公开了一种交叉耦合输入的自混频二倍频器,包括交叉耦合输入的二倍频电路单元、巴伦和输入匹配网络以及输出匹配网络,二倍频电路单元用于接收差分基频信号并产生二次谐波信号;巴伦和输入匹配网络用于将单端基频信号转化为差分基频信号;输出匹配网络用于提取二次谐波信号,滤除不需要的基频和其他高次谐波信号;巴伦和输入匹配网络与二倍频电路单元输入端相连,输出匹配网络与二倍频电路单元输出端相连;二倍频电路单元包括第一晶体管、第二晶体管,第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极连接,同样的,第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极连接,构成交叉耦合的输入端口;第一晶体管和第二晶体管的漏极短接,构成二次谐波信号输出端口。