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公开(公告)号：CN102034926A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297386.9
申请日：2010-09-27
申请人： 江苏大学
摘要： 本发明公开一种磁电材料领域中的压电材料层串接的磁电层合材料结构，由最上层的磁致伸缩材料层、中间层的压电材料层和最下层的另一磁致伸缩材料层组成一个整体，压电材料层由四片相同的单个压电材料层串接而成，每片单个压电材料层的长×宽×厚均是6mm×3mm×1mm，单个压电材料层粘结面是3mm×1mm表面；两磁致伸缩材料层的总厚度与压电材料层的厚度比为2∶1；两磁致伸缩材料层沿长度方向磁化，压电材料层沿长度方向极化，单个压电材料层的极化方向沿3mm维度方向。本发明输出电压等于被串接在一起的单个压电材料层输出电压之和，通过改变压电材料层结构来间接改变极化方向，使电压输出值显著提高，从而提高磁电层合材料的磁电转换系数。
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公开(公告)号：CN1725370B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200510079133.3
申请日：2005-06-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 菲利普·L.·特洛尔劳德 , 戴维·W.·亚伯拉罕 , 约翰·K.·德布洛斯
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 一种用于对磁随机访问存储器(MRAM)器件确定期望各向异性轴角度的方法，所述方法包括选择各向异性轴角度的多个最初值，对每个所选最初值，确定MRAM器件至少一个铁磁层的最小厚度。最小厚度对应MRAM器件内单个单元的预定激励能量。对于每个所选值，还确定出在MRAM器件的字线方向和位线方向上的最小施加磁场值，以便保持所述预定激励能量。对于每个所选值，计算每位所施加功率值，其中，期望各向异性轴角度为对应于最小每位功率值的所选各向异性轴角度。
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公开(公告)号：CN101276670B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710089086.X
申请日：2007-03-29
申请人： 台达电子工业股份有限公司
摘要： 本发明为一种表面黏着型磁性元件，至少包括：一导磁组，具有一第一、二导磁部件，且该第一、二导磁部件相组合以形成一容置空间，第二导磁部件具有相对的一第一表面、一第二表面与至少一连接该第一、二表面的侧面，该侧面的两侧各具有一贯通该第一、二表面的凹部，且该第二导磁部件以第一表面与第一导磁部件连接；一线圈，部分设置于导磁组的容置空间内，且具有至少两接脚，至少两接脚沿该第二导磁部件的该侧面的两侧的凹部弯折，并延伸至第二表面上；以及一延伸部，一体成形于该第二导磁部件的该第二表面的至少部分区域。本发明解决了表面黏着型磁性元件无法平整地、稳固地配置于电路板等缺点，以及提升了表面黏着型磁性元件定位于电路板的能力。
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公开(公告)号：CN101834271A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010116951.7
申请日：2010-03-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN1384503B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN02119828.4
申请日：2002-04-02
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/12465 , Y10T428/12986 , Y10T428/24942
摘要： 一种磁阻膜，包括一非磁膜，磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置，该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器，磁元件，磁阻元件以及磁元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN100550455C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610171137.9
申请日：2006-12-25
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明公开了一种通过控制感生电流量而能够在纳米磁性存储单元中写/读多个数据的纳米磁性存储器件，在根据从第一电极通过纳米磁性存储器件的纳米线到第二电极流动的字线电流而磁性纳米点被扰动并重排之后，形成感生电流。且因此，通过提供单元尺寸更小的简化的纳米磁性存储器件，存储器件的尺寸减小且存储器件的密度可以改善。
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公开(公告)号：CN100533589C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200310118602.9
申请日：2003-11-26
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/224 , H01L27/228
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。
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公开(公告)号：CN101438178A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016434.9
申请日：2007-05-08
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： G01R33/09 , G01R33/0011 , G01R33/02 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01L43/12
摘要： 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。
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公开(公告)号：CN100490005C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03138497.8
申请日：2003-06-03
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C2213/71
摘要： 一种存储单元(8)包括用铁磁材料包覆的导体(34)；在包覆导体(14)的相对侧上的第一和第二间隔层(16、24)；在第一间隔层(16)上的第一数据层(12)；和在第二间隔层(24)上的第二数据层(22)。
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