公开(公告)号：CN1384503B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN02119828.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田贵司 ,  小金井昭雄 ,  冈野一久

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/24942

Abstract: 一种磁阻膜，包括一非磁膜，磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置，该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器，磁元件，磁阻元件以及磁元件的制造方法。

公开(公告)号：CN1384503A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02119828.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田贵司 ,  小金井昭雄 ,  冈野一久

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/24942

Abstract: 一种磁阻膜,包括一非磁膜,磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置,该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器,磁元件,磁阻元件以及磁元件的制造方法。