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公开(公告)号：CN101834271B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010116951.7
申请日：2010-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有所述磁电随机存储单元的存储器包括：多个磁电随机存储单元；多个分别与所述磁电随机存储单元中的第一电极相连的访问晶体管；多个控制所述访问晶体管的字线；多个分别与所述磁电随机存储单元中的第二电极相连的第一板线；多个分别与访问晶体管相连的第一位线；多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁固定层相连的第二位线；和多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁自由层相连的第二板线。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN102299256B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110200577.3
申请日：2011-07-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN102299256A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110200577.3
申请日：2011-07-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN101834271A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010116951.7
申请日：2010-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。
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