公开(公告)号：CN109476913A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780046632.3

申请日：2017-08-03

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 进藤和也 ,  江原和也

IPC分类号： C08L79/08 ,  C08G69/32 ,  C08G73/12 ,  C08K5/20 ,  C08K5/3415 ,  C08L77/10 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： C08G69/32 ,  C08G73/12 ,  C08K5/20 ,  C08K5/3415 ,  C08L77/10 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供剥离层形成用组合物，其包含：由下述式(1)表示的聚酰胺酸、由下述式(2)表示的聚酰胺酸、由下述式(3)表示的聚酰胺酸或由下述式(4)表示的聚酰胺，和有机溶剂。式中，X1表示不具有氟原子的4价的芳族基团，X2表示具有氟原子的4价的芳族基团，X3表示不具有氟原子的2价的芳族基团，Y1表示具有氟原子的2价的芳族基团，Y2表示不具有氟原子的2价的芳族基团，m表示自然数。

公开(公告)号：CN108885971A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021504.3

申请日：2017-04-04

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  加藤公二

IPC分类号： H01L21/02 ,  H03H3/08

CPC分类号： H01L21/02 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。

公开(公告)号：CN108701710A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013987.2

申请日：2017-02-24

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 都永洛 ,  成演国

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

摘要： 提供了制造纳米棒的方法。制造纳米棒的方法包括以下步骤：提供生长衬底和支承衬底；在生长衬底的一面上使纳米材料层外延生长；在支承衬底的一面上形成牺牲层；使纳米材料层与牺牲层结合；从纳米材料层分离生长衬底；使纳米材料层平坦化；对纳米材料层进行蚀刻以形成纳米棒；以及去除牺牲层以分离出纳米棒。

公开(公告)号：CN108461381A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810084699.2

申请日：2018-01-29

申请人： 郭光辉

发明人： 郭光辉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3043 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种半导体GPP整流芯片的制作工艺，具体步骤如下：步骤一，将原始晶片用砂轮切割机切割开槽，得到晶片；步骤二，将晶片吸附在旋转吸盘上并且在晶片上滴上玻璃浆；步骤三，旋转吸盘旋转5-10秒，然后将晶片放在加热板上烘烤10分钟；步骤四，将步骤三的晶片放在擦粉机上擦粉，然后用吹气球将晶片上的玻璃浆粉末吹干净并且进行一次预烧制；步骤五，将一次预烧制后的产品进行现有的常规工艺，即可得到成品。本发明采用砂轮切割机切割开槽代替光刻蚀刻工艺，采用旋转甩浆方法代替用单刃刮刀刮涂玻璃浆工艺，减少了试剂、操作人数量和能源的消耗，减少了产生的污染，降低了生产成本，提高了生产效率，提高了产品质量的一致性。

公开(公告)号：CN108447769A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810088340.2

申请日：2018-01-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 平田和也 ,  山本凉兵

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/0201

摘要： 提供晶片生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。本发明的晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层(22)的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线(LB)，使裂纹(20)生长，形成剥离的开端(23)；以及晶片生成工序，将晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对晶锭(2)赋予具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成晶片(34)。

公开(公告)号：CN108040500A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201680056621.9

申请日：2016-09-28

申请人： 株式会社尼康

发明人： 加藤正纪 ,  鬼头义昭 ,  奈良圭 ,  堀正和 ,  木内徹

IPC分类号： H01L21/677 ,  B65G49/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： B65G49/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

摘要： 本发明的制造系统(10)，是一边将长条的可挠性片材基板(P)搬送于长边方向、一边通过多个处理装置(PR)连续的对该片材基板施以处理，其具备设置在该多个处理装置(PR)中的第1处理装置(PR2)与相邻的第2处理装置(PR3)之间的蓄积部(BF1)，以及于第1处理装置(PR2)中，暂时停止对该片材基板(P)的处理、或该片材基板(P)的搬送时，判定该蓄积部(BF1)的该片材基板(P)的蓄积状态是否满足以预想的该第1处理装置(PR2)的停止时间决定的所需蓄积状态的控制装置(14,18)。

公开(公告)号：CN107978518A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710971469.3

申请日：2017-10-18

申请人： 四川大学

发明人： 李芸 ,  龚敏

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/26 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/02 ,  H01L21/26

摘要： 本发明公开了一种半导体实现负介电常数的方法，并采用电信号对负介电常数进行调控的方法，具体为：采用辐照源对半导体材料或半导体材料制作而成的半导体器件或半导体器件制作而成的电路进行辐照，与辐照前的样品相比较，辐照后的样品将会在一定频率范围内产生负介电常数；改变辐照后样品两极间的直流偏置电流或者直流偏置电压实现对负介电常数的调制。本发明实现了半导体材料器件在一定频率范围内的负介电常数，与现有采用人工周期性金属结构实现负介电常数相比，具有电学信号可调的特性，并且本发明不增加任何半导体材料和半导体器件以及电路制造的工艺步骤，不增加制作成本，对实现半导体在超材料领域的应用具有重要的意义。

公开(公告)号：CN107924811A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082353.3

申请日：2015-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本一良 ,  上田修 ,  浅井一秀

IPC分类号： H01L21/02 ,  G05B19/418

CPC分类号： G05B19/418 ,  G05B2219/23295 ,  G05B2219/32096 ,  G05B2219/45031 ,  G06F17/30091 ,  H01L21/02 ,  Y02P90/02

摘要： 一种至少包含处理基板的基板处理装置以及管理所述基板处理装置的管理装置的结构，基板处理装置当受理了确定成为基准的基板处理装置的装置确定信息以及指定规定的装置文件的文件信息的输入时，向管理装置发送请求电文，该请求电文包含第一识别符、表示成为基准的基板处理装置的第一装置信息以及与规定的装置文件关联的第一数据信息；管理装置将请求电文传送至成为基准的基板处理装置，成为基准的基板处理装置处理接收到的请求电文，向管理装置发送响应电文，该响应电文包含第二识别符和响应第一数据信息的第二数据信息；管理装置将响应电文传送至基板处理装置；基板处理装置处理响应电文，取得并保存第二数据信息。

公开(公告)号：CN107851553A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044210.8

申请日：2016-07-26

申请人： 爱思开矽得荣株式会社

发明人： 姜东昊 ,  赵万起

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

摘要： 实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。

公开(公告)号：CN106170876B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201580000944.1

申请日：2015-07-30

申请人： 韩国生产技术研究院

发明人： 李相昊 ,  申权容 ,  姜景太 ,  姜熙锡 ,  黄晙泳 ,  曹观铉 ,  姜敃圭

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种喷嘴头、一种制造所述喷嘴头的方法，并且包含：喷嘴头，其包含：喷嘴基板；喷嘴尖端，其从所述喷嘴基板的下表面朝下突起，并且有喷嘴孔朝上和朝下穿过所述喷嘴尖端；回避凹座，其形成在所述喷嘴尖端的外周上，并且从所述喷嘴基板的下表面朝向所述喷嘴基板的上表面凹陷；以及引入凹座，其形成在所述喷嘴基板的所述上表面上，以使得用于供给液体的管线联接到所述引入凹座。