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公开(公告)号:CN106225685B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201610743563.9
申请日:2016-08-26
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
Abstract: 一种硅片台大行程三自由度测量系统属于半导体制造装备技术领域,应用于硅片台在玻璃基板平面内沿X方向、Y方向和θz方向做平面三自由度运动的测量。该测量系统包含玻璃基板平面、硅片台、一维光电编码器。玻璃基板分成宽度相等的几部分,每部分刻有间距相等且相互平行的标志线,相邻两部分的标志线方向相互垂直。按要求在硅片台下表面布置四对一维光电编码器。当硅片台在玻璃基板表面运动时,采集三个或四个有效光电编码器的数据计算得出硅片台在xy平面内的位移和绕z轴的转动。这种测量系统可实现硅片台在玻璃基板上大行程运动过程中任意时刻的三自由度位移和角度的测量。
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公开(公告)号:CN108345181A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810271724.8
申请日:2018-03-29
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种具有二级防撞保护结构的硅片台双台交换系统,主要应用于半导体光刻设备中。在硅片台双台交换系统中不仅设有气囊装置,在每个硅片台上均配备一套用来保护其内部部件免受碰撞和损害的缓冲装置,共同构成了硅片台的双重安全防撞系统,该双重防撞保护系统具有防撞效果好,质量轻且结构紧凑,避免了硅片台体积过大而造成的行程减小的缺点,以及便于在碰撞发生后迅速恢复等特点;与现有技术相比,大大提高了对硅片台内部结构的安全防护能力,大大减少了碰撞对硅片台零部件造成的损伤。
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公开(公告)号:CN107155096A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201710258888.2
申请日:2017-04-19
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H04N9/3188 , G03B21/142
Abstract: 本发明公开了一种基于半误差反向投影的超分辨率重建方法,该方法包括步骤:获得M帧实际观测图像;计算初始的高分辨率图像;根据实际观测图像及初始高分辨率图像,得到第t+1次迭代的高分辨率图像;对高分辨率图像进行模拟观测,获得相应的模拟观测低分辨率图像,计算t+1次迭代的实际观测图像与模拟观测低分辨率图像之间的误差;反向投影误差或者实际观测图像到高分辨率图像中;结果满意后停止迭代。该方法可以有效地减少“振铃”伪影的累积效应,使得重建的高分辨率图像有更好的质量和视觉体验。还公开了一种基于半误差反向投影的超分辨率重建装置。
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公开(公告)号:CN105865443A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610251492.0
申请日:2016-04-21
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
IPC: G01C21/00
CPC classification number: G01C21/00
Abstract: 基于一维运动机构和二维位置传感器的六自由度定位系统,该系统包括半导体激光器、光纤准直器、光纤分路器、滤光片、两个一维运动机构、三个PSD传感器及信号处理系统。半导体激光器发射的激光照射到光纤准直器,后经光纤分路器分成三路,三路光经输出光纤和滤光片后,分别由三个PSD传感器接收;激光光斑在三个PSD传感器的位置和两个一维运动机构的位移经信号处理系统处理,得到空间六自由度的物体位姿。该定位系统采用非接触式测量,避免线缆对平台运动精度的影响,并采用一维运动机构进行跟踪测量,解决了二维位置敏感传感器测量行程不足的问题,具有定位精度高、测量行程大、响应快、结构简单及成本低的特点。
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公开(公告)号:CN103322927B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201310243132.2
申请日:2013-06-19
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01B9/02007 , G01B9/02003 , G01B9/02021 , G01B9/02022 , G01B9/02027 , G01B11/14 , G01B2290/70
Abstract: 一种三自由度外差光栅干涉仪位移测量系统,包括双频激光器、光栅干涉仪、测量光栅、接收器、电子信号处理部件;光栅干涉仪包括偏振分光镜、参考光栅、折光元件;该测量系统基于光栅衍射、光学多普勒效应和光学拍频原理实现位移测量。双频激光器出射的双频激光入射至光栅干涉仪、测量光栅后输出四路光信号至接收器,后至电子信号处理部件。当光栅干涉仪与测量光栅做三自由度线性相对运动时,系统可输出三个线性位移。该测量系统能够实现亚纳米甚至更高分辨率及精度,且能够同时测量三个线性位移。该测量系统具有对环境不敏感、测量精度高、体积小、质量轻等优点,作为光刻机超精密工件台位置测量系统可提升工件台综合性能。
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公开(公告)号:CN103307986B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310243113.X
申请日:2013-06-19
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
Inventor: 张鸣 , 朱煜 , 王磊杰 , 杨开明 , 刘召 , 成荣 , 刘昊 , 徐登峰 , 叶伟楠 , 张利 , 赵彦坡 , 田丽 , 张金 , 胡金春 , 穆海华 , 尹文生 , 秦慧超
CPC classification number: G01B9/02007 , G01B9/02003 , G01B9/02021 , G01B9/02022 , G01B9/02027 , G01B11/14 , G01B2290/70
Abstract: 一种二自由度外差光栅干涉仪位移测量系统,包括双频激光器、光栅干涉仪、测量光栅、接收器、电子信号处理部件;光栅干涉仪包括偏振分光镜、参考光栅、折光元件;该测量系统基于光栅衍射、光学多普勒效应和光学拍频原理实现位移测量。双频激光器出射的双频激光入射至光栅干涉仪、测量光栅后输出两路光信号至接收器,后至电子信号处理部件。当光栅干涉仪与测量光栅做二自由度线性相对运动时,系统可输出二个线性位移。该测量系统能够实现亚纳米甚至更高分辨率及精度,且能够同时测量二个线性位移。该测量系统具有对环境不敏感、测量精度高、体积小、质量轻等优点,作为光刻机超精密工件台位置测量系统可提升工件台综合性能。
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公开(公告)号:CN103560643B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201310508532.1
申请日:2013-10-24
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技股份有限公司
Abstract: 一种印刷电路板绕组直线电动机,使得上位机控制系统有效地发挥了绝对光栅相比于增量光栅在位置控制中的优势该直线电动机使用印刷电路板制作线圈绕组阵列,准确地布置线圈绕组中的每个线圈的位置,通过多层印刷电路板相邻两层中的线圈沿电动机直线运动方向错位排布及特定的供电规律,提高线圈绕组阵列中电流形成的电场的正弦性,进而降低直线电动机的推力波动,提高直线电动机的控制精度。
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公开(公告)号:CN103186058B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201310048778.5
申请日:2013-02-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有六自由度粗动台的掩模台系统,主要用于光刻机系统中。该系统包括粗动台、精动台和机架;粗动台含有一个粗动台台体、驱动装置和粗动台重力平衡组件,粗动台台体设置在精动台的外部,将精动台包围在中间;驱动装置包括两组关于X轴方向对称布置的X方向直线电机和四组同时驱动Y方向和Z方向的两自由度直线电机,实现粗动台的六自由度运动。六自由度粗动台与六自由度精动台配合,在调整掩模台姿态的同时既提高了掩模台的速度、加速度和控制带宽,又满足了高运动精度和定位精度的要求,进而提高了光刻机的生产率、套刻精度和分辨率。
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公开(公告)号:CN103309177B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201310243147.9
申请日:2013-06-19
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻机工件台系统,包含机架、基台、分别运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台,以及测量光栅、双频激光器、三自由度外差光栅干涉仪和信号接收与处理部件。在每个硅片台四角处各安装一个三自由外差光栅干涉仪,测量光栅安装于硅片台上方的机架上。双频激光器出射的双频正交偏振激光经光纤传输至三自由度外差光栅干涉仪后至测量光栅,测量光栅的四束衍射光回射至三自由度外差干涉仪,最终出射四束测量光信号至信号接收与处理部件。当硅片台相对于测量光栅运动时,利用信号接收与处理部件中的读数通过解算获取硅片台六自由位移。该光刻机工件台系统可提高硅片台的测量精度、动态性能等指标,进而提高光刻机工件台系统整体性能。
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公开(公告)号:CN104049472A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410306905.1
申请日:2014-06-30
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/20
Abstract: 一种电磁弹射启动式掩模台系统,用于光刻机系统中,所述掩模台系统包含底座、平衡块组件、掩模台动台和测量系统。所述平衡块组件包括平衡块、掩模台YZ向电机线圈和掩模台X向电机线圈;所述掩模台动台包括掩模台动台基底、掩模台YZ向电机磁钢阵列和掩模台X向电机磁钢阵列;所述电磁弹射启动式掩模台系统还包括弹射结构,所述弹射结构包括弹射结构定子磁钢阵列、弹射结构动子磁钢阵列、弹射台、弹射台电机动子、弹射台电机定子和导轨。本发明采用弹射结构,提高了光刻机掩模台的启动和停止阶段的加速度,减小了加速时间,降低了能耗和对驱动器的要求。
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