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公开(公告)号：CN112786714B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911089315.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/102 , G01J1/42
Abstract: 一种光电探测器，包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，该半导体元件包括：一半导体层、一第一碳纳米管、以及一第二碳纳米管，该半导体层包括层叠设置的n型半导体层和p型半导体层，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；该第一碳纳米管设置在第一表面，并与第一表面直接接触；该第二碳纳米管设置在第二表面，并与该第二表面直接接触，所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层结构，所述第一电极与第一碳纳米管电连接，所述第二电极与第二碳纳米管电连接。
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公开(公告)号：CN110092351B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810080254.7
申请日：2018-01-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，并将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。
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公开(公告)号：CN112786714A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089315.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/102 , G01J1/42
Abstract: 一种光电探测器，包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，该半导体元件包括：一半导体层、一第一碳纳米管、以及一第二碳纳米管，该半导体层包括层叠设置的n型半导体层和p型半导体层，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；该第一碳纳米管设置在第一表面，并与第一表面直接接触；该第二碳纳米管设置在第二表面，并与该第二表面直接接触，所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层结构，所述第一电极与第一碳纳米管电连接，所述第二电极与第二碳纳米管电连接。
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公开(公告)号：CN107564948B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201610502945.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明提供一种纳米异质结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管，其中至少一个第二碳纳米管的延伸方向与所述第一碳纳米管的延伸方向相互交叉；找出一组相互交叉的第一碳纳米管和第二碳纳米管，标识该组第一碳纳米管和第二碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管去除；以及将上述结构进行退火处理。本发明进一步提供一种应用该纳米异质结构的纳米晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN107564862B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201610502909.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/8238 , B82B3/00 , B82B1/00
Abstract: 一种纳米异质结构的制备方法，包括：提供一支撑结构，在支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及将上述结构进行退火处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107564910B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610502910.9
申请日：2016-07-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L27/092 , B82B3/00 , B82B1/00
Abstract: 一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，第一电极通过一绝缘层与第二电极、第三电极、第四电极以及纳米异质结构电绝缘；第二电极、第三电极、第四电极与纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，第二金属性碳纳米管设置于第二表面；第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。
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公开(公告)号：CN108933172B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710375322.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/43 , B82Y30/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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公开(公告)号：CN109425592A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710775064.2
申请日：2017-08-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01N21/49
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管观测装置，包括：一种一维纳米材料观测装置，包括：一第一光源与一第二光源，分别用于提供第一入射光与第二入射光，所述第一光源与所述第二光源为连续光谱光源；一承载装置，用于承载待测一维纳米材料及耦合液；以及一光学显微镜，用于观测所述待测一维纳米材料。本发明提供的观测装置可以观测任意形态结构及排列方向的一维纳米材料，获取该一维纳米材料的位置、形态及手性信息。
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公开(公告)号：CN108933171A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710375318.1
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构，其包括一半导体层，该半导体层的厚度为1～100纳米，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。本发明进一步提供一种采用所述半导体结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107564948A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610502945.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L51/0012 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C30B29/46 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L27/307 , H01L51/0026 , H01L51/0048 , H01L51/0562 , H01L51/4213 , Y10S977/75 , Y10S977/827 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/954
Abstract: 本发明提供一种纳米异质结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管，其中至少一个第二碳纳米管的延伸方向与所述第一碳纳米管的延伸方向相互交叉；找出一组相互交叉的第一碳纳米管和第二碳纳米管，标识该组第一碳纳米管和第二碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管去除；以及将上述结构进行退火处理。本发明进一步提供一种应用该纳米异质结构的纳米晶体管的制备方法。
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