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公开(公告)号：CN109326854A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811051702.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯中红外可调谐带阻滤波器，其包括介质层和石墨烯层组成，介质层上铺有周期结构石墨烯层，周期单元结构均呈交叉领结形，其由纵向和横向领结形均匀垂直叠加构成，纵向和横向领结形完全相同；单领结形单领结形由一个矩形和两个等腰梯形组成，矩形的两端分别与两个完全一致的等腰梯形相接；所有纳米石墨烯单元均在介质层上以矩阵形式排列。本发明滤波器具有双模式可调谐特性，通过改变外加偏置电压或者化学掺杂来调节石墨烯化学势变化，进而实现频段的选择性。本发明适用范围广，调节度高，体积小，集成度高，便于加工，选频特性好，因而在全光网络中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107942220A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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公开(公告)号：CN106803518A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710086446.4
申请日：2017-02-17
Abstract: 本发明公开一种基于场氧层电场调制的功率器件，通过在场氧层内引入同型变掺杂的同型固定界面电荷区电场分布与漂移区体电场相互调制，引入的新电场尖峰优化了漂移区的表面电场强度，使得表面电场分布更加均匀，从而提高器件的横向耐压特性。此外，变掺杂固定界面电荷区，不仅提高了器件的耐压特性，同时其固定电荷结构简单，受温度、应力影响较小，工艺容差高，与常用的漂移区内局部掺杂电荷的结构可同时使用，通过对引入的同型固定界面电荷区的面密度，分布区域，分布连续性进行优化，获取更佳的击穿电压，并提供更多的提高击穿电压的结构，可广泛运用于多种半导体功率器件。
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公开(公告)号：CN113659074B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110790769.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN111293397B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202010217484.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119670299A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411824289.9
申请日：2024-12-12
Applicant: 南宁桂电电子科技研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合模理论的复介电常数传感器设计方法，属于材料介电性能研究技术领域。该方法包括以下步骤：S1：根据测量频率范围和系统结构列写包含拟合参数的电磁模式间耦合的动力学方程；S2：根据麦克斯韦方程组列写系统内电磁能量守恒方程；S3：根据待定系数法得到系统散射系数和介质复介电常数之间包含拟合参数的关系；S4：使用测量标准介质、计算机仿真等方式确定剩余的拟合参数，得到系统散射系数和介质复介电常数之间的关系。本发明提供的基于耦合模理论的复介电常数传感器设计方法从第一性原理出发，给出了一种普适的复介电常数传感器设计方法，通过本方法能有效指导复介电常数传感器的设计。
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公开(公告)号：CN119619633A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411765010.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于BIC的灵敏度可调波导谐振腔复介电常数测量装置及其应用，属于微波器件工程技术领域。本发明解决了现有测量方法难以对损耗正切横跨多个数量级的介质有效表征的问题。本发明基于波导谐振腔结构，通过控制谐振腔偏移，打破系统对称性，使BIC退化为准BIC。并利用准BIC高品质因数的特性，通过控制其退化程度使其品质因数变化范围横跨多个数量级，实现对复介电常数测量灵敏度的灵活调控，能够对损耗正切横跨多个数量级的介质进行有效表征，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN112099311B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN116504878A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310522786.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN113241406B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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