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公开(公告)号：CN101770960A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910247044.3
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片绝缘的保护胶灌注方法，其包括：1)将保护胶倒入密闭容器后，密闭容器抽真空并保持真空一段时间；2)将芯片置于灌胶模具内；3)将保护胶加压灌注于所述灌胶模具；4)待保护胶固化后，取出芯片。本发明的保护胶灌注方法由于采用密闭容器对保护胶抽真空，因负压作用，保护胶中的气泡受保护胶挤压而排出，可以使固化后的保护胶形成致密的结构，使得保护胶层具有更好的绝缘效果，从而提高芯片的表面击穿电压。本发明同时还公开了一种采用上述方法灌注保护胶的装置。
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公开(公告)号：CN1937243A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032427.5
申请日：2006-10-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种功率器件的防爆方法及装置，在现有的绝缘壳体大功率晶闸管结构基础上，在绝缘壳体内设置一防爆装置，由防爆装置通过吸收、减缓能量的方式，当管壳内发生爆炸时，吸收爆炸所产生的能量，减少爆炸气体对绝缘壳体的冲击，并减缓爆炸所产生的热量迅速向绝缘壳体的传递，从而到达防爆的目的。防爆装置设置在绝缘壳体与半导体基片之间的封闭腔体内，防爆装置为一弹性吸能缓冲装置。所述的防爆装置可以是一种弹性体材料构成的吸能结构(如橡胶圈结构)，也可以是弹性橡胶气囊形式的装置，还可以是一种弹性机械吸能装置。
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公开(公告)号：CN203367285U
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201320165620.1
申请日：2013-04-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型提供了一种IGBT芯片，包括衬底、位于衬底正面之上的铜金属化结构，所述铜金属化结构包括栅极电极和发射极电极，还包括，位于所述栅极电极下方的衬底内的P+掺杂区。该P+掺杂区可以保护芯片在反向耐压时的栅极，即防止在反向耐压时栅极下方的半导体材料被耗尽，而使电场穿透至多晶硅层，提高芯片了的耐压稳定性。
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公开(公告)号：CN201689155U
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201020207692.4
申请日：2010-05-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种用于晶闸管芯片测试的适配器，包括：适配器盖、门极件、塑料王圈和适配器底座，所述适配器盖和适配器底座上分别设置有用于固定所述塑料王圈的凹槽，所述门极件用塑料包裹并穿过所述适配器盖和晶闸管的阴极钼片，与芯片的中心门极连接。本实用新型实施例提供的适配器，在适配器盖和适配器底座上分别设置固定塑料王圈的凹槽，通过塑料王圈对适配器盖和适配器底座加以固定，防止发生相对位移而导致损坏芯片，并将门极件固定在适配器盖中，避免了门极件与芯片发生相对位移，而导致划伤芯片的中心门极，影响芯片的测试参数。
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公开(公告)号：CN205248282U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520893094.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739
Abstract: 本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201022078Y
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200620052530.1
申请日：2006-10-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种中心定位的功率器件，包括绝缘壳体、管座、管盖、管芯、阴极钼片和阳极钼片，管芯夹在阴极钼片和阳极钼片之间，形成半导体基片，半导体基片又安置于管座与管盖之间，管座与管盖又分别通过上连接件和下连接件与绝缘壳体连接，形成一个封闭腔体，半导体基片正好置于封闭腔体之内，其特征在于：采取中心定位的方法，在阳极钼片的中心开有阳极钼片中心定位孔，在管座的内面中心也开有管座中心定位孔，且管座内面的管座中心定位孔为盲孔，在阳极钼片中心定位孔与管座内面的管座中心定位孔中有用于定位的定位销，晶闸管半导体基片是通过定位销和阳极钼片中心定位孔与管座内面的管座中心定位孔进行定位的。
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公开(公告)号：CN200979885Y
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200620052529.9
申请日：2006-10-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种带防爆装置的功率器件，在现有的绝缘壳体大功率晶闸管结构基础上，在绝缘壳体内设置一防爆装置，由防爆装置通过吸收、减缓能量的方式，当管壳内发生爆炸时，吸收爆炸所产生的能量，减少爆炸气体对绝缘壳体的冲击，并减缓爆炸所产生的热量迅速向绝缘壳体的传递，从而到达防爆的目的。防爆装置设置在绝缘壳体与半导体基片之间的封闭腔体内，防爆装置为一弹性吸能缓冲装置。所述的防爆装置可以是一种弹性体材料构成的吸能结构(如橡胶圈结构)，也可以是弹性橡胶气囊形式的装置，还可以是一种弹性机械吸能装置。
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公开(公告)号：CN203179900U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320168067.7
申请日：2013-04-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管FRD芯片，该芯片包括芯片有源区和芯片终端保护区；所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于位于所述芯片有源区的N+型阴极区的结深。该P型掺杂区在FRD正向导通时，对FRD终端保护区内的N-基区实现电子的零注入，大大减小了FRD终端保护区内的N-基区内的载流子浓度，在FRD关断时，整个N-基区内的载流子抽取速度将会加快，即关断时间得到减小，从而降低了关断损耗。
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公开(公告)号：CN202068342U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201120057341.4
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本实用新型涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本实用新型集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
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