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公开(公告)号：CN116599490A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310552681.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置及弹性波装置封装件，能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与VSi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)。
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公开(公告)号：CN110166016B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201811608066.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置，该弹性波装置作为高声速膜而具有氮化硅层，其中，不易产生IMD特性的劣化，且不易产生氮化硅层的自毁。一种弹性波装置，在由半导体构成的支承基板(2)上直接或间接地层叠有SiNx层(3)，在SiNx层(3)上直接或间接地层叠有压电膜(5)，弹性波装置具备直接或间接地层叠在压电膜(5)的至少一个主面上的IDT电极(6)，在SiNx层(3)中，x处于1.34以上且1.66以下的范围。
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公开(公告)号：CN115428335A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180029551.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制横模以及高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和IDT电极(7)。IDT电极(7)具有中央区域(C)和第1边缘区域(E1)、第2边缘区域(E2)。包含第1边缘区域(E1)、第2边缘区域(E2)且与该区域在弹性波传播方向上重叠的区域为第1扩展边缘区域(Ex1)、第2扩展边缘区域(Ex2)。在第1扩展边缘区域(Ex1)、第2扩展边缘区域(Ex2)中，设置有声速比中央区域(C)低的第1声速调整部(L)、第2声速调整部(M)。第1声速调整部(L)具有第1端部(La)、第2端部(Lb)，第2声速调整部(M)具有第3端部(Ma)、第4端部(Mb)。第1端部(La)～第4端部(Mb)位于第1边缘区域(E1)、第2边缘区域(E2)的外侧。第1端部(La)、第3端部(Ma)和第2端部(Lb)、第4端部(Mb)这两组端部中的至少一组在多个电极指延伸的方向上不重叠。
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公开(公告)号：CN115211035A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180017482.X
申请日：2021-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 减少在比为了得到特性而使用的激励模式靠低频侧的频带产生的瑞利模式的杂散、以及在比上述激励模式靠高频侧的频带产生的高阶模式的杂散。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、层叠体(3)以及IDT电极(6)。层叠体(3)包括被层叠的钽酸锂压电体层及铌酸锂压电体层，并且设置于支承基板(2)。IDT电极(6)设置于层叠体(3)，具有多个电极指(63)。在将由多个电极指(63)的间距(P1)决定的弹性波的波长设为λ时，层叠体3的厚度为0.66λ以下。
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公开(公告)号：CN115104256A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180015047.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明使在比为了得到特性而使用的激励模式靠低频侧的频带产生的瑞利模式的杂散、以及在比上述激励模式靠高频侧的频带产生的高阶模的杂散降低。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)、和IDT电极(6)。第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)设置在支承基板(2)。IDT电极(6)设置在第1压电体层(3A)，具有多个电极指(63)。第2压电体层(3B)设置在第1压电体层(3A)与支承基板(2)之间。第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)为钽酸锂或者铌酸锂。第2压电体层(3B)的欧拉角与第1压电体层(3A)的欧拉角不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114467258A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080066156.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够应对高频化且能够提高线性度。弹性波装置(1)具备压电体层(4)、第一电极(51)以及第二电极(52)。第一电极(51)和第二电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。压电体层(4)的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层(4)设置在硅基板(2)的第一主面(21)上。弹性波装置(1)还具有陷获区域(10)。陷获区域(10)设置在压电体层(4)的第二主面(42)侧。
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公开(公告)号：CN113541639A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110374862.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置及复合滤波器装置，能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。
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公开(公告)号：CN112868177A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980066809.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生Q的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体(5)，具有相互对置的一个主面以及另一个主面；IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面上，具有多根电极指(11、12)；高声速构件(3)，配置在压电体(5)的另一个主面侧，传播的体波的声速比在压电体(5)传播的弹性波的声速高；以及第1电介质膜(13)，设置在电极指(11、12)的上表面，在IDT电极(6)的电极指(11、12)间有不存在电介质的部分。
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公开(公告)号：CN112673570A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980058436.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在包含硅的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、钽酸锂膜(4)、IDT电极(5)以及保护膜(8)，关于钽酸锂膜的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、保护膜的波长标准化膜厚TP、支承基板(2)的传播方位ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、TP和ψSi，使得Ih大于‑2.4，其中，Ih对应于关于杂散(A、B、C)的响应中的至少一个响应由下述的式(1)表示的杂散的响应的强度。
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公开(公告)号：CN111587535A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086161.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题是抑制高阶模。在将多个弹性波谐振器(31～39)中的在电学上最靠近第1端子(101)的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为第1弹性波谐振器(3A)，多个弹性波谐振器(31～39)中的天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第2弹性波谐振器(3B)。弹性波装置(1)满足第1条件。第1条件为如下的条件，即，第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)的高声速构件(4A、4B)各自包含硅基板，第1弹性波谐振器(3A)的硅基板中的压电体层(6A)侧的面(41A)为(111)面或(110)面，第2弹性波谐振器(3B)的硅基板中的压电体层(6B)侧的面(41B)为(100)面。
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