公开(公告)号：CN1652352A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054408.8

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。

公开(公告)号：CN1652351A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054405.4

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜，所述半导体膜至少包括成为高电阻率区的第一区和成为漏区的第二区，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述半导体膜上形成栅电极，所述栅绝缘膜介于其间，其中所述半导体膜的所述第二区从所述栅绝缘膜露出；形成覆盖所述半导体膜、所述栅绝缘膜及所述栅电极的金属膜，其中所述金属膜与所述半导体膜的所述第二区接触；通过向所述第一区掺入杂质，以第一浓度产生一种导电类型，形成所述高电阻率区；通过向所述第二区掺入杂质，以高于所述第一浓度的第二浓度产生所述一种导电类型，形成一个漏区；其中在所述第一区上不形成所述金属硅化物层。

公开(公告)号：CN1645611A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510007875.5

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/786 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1128893C

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN95121846.8

申请日：1995-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣

IPC: C23F1/12 ,  C23F1/08 ,  H01L21/306

Abstract: 一种腐蚀设备，具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室，以及一个腐蚀室。在腐蚀室中，使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀，例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀，是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

公开(公告)号：CN1373384A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN02106559.4

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  楠山义弘 ,  小野幸治 ,  小山润

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/4846 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/02367 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法,其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构,以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形,并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

公开(公告)号：CN1136599A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN95121846.8

申请日：1995-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣

IPC: C23F1/12 ,  C23F1/08 ,  H01L21/306

Abstract: 一种腐蚀设备，具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室，以及一个腐蚀室。在腐蚀室中，使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀，例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀，是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

公开(公告)号：CN1129355A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95118605.1

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  竹村保彦 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/312 ,  H01L21/28 ,  H01L21/334

Abstract: 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。