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公开(公告)号：CN100355044C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN97109936.7
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/322 , H01L27/04 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种半导体器件，有源层只由单畴区构成。处于有源层下的绝缘膜有预定图形的特定的表面结构，包括凹凸形。为制成有源层，在衬底上溅射形成氧化硅膜。对氧化硅膜刻图形成表面结构。在氧化硅膜上用低压CVD形成非晶硅膜。使氧化硅膜和/或非晶硅膜中含促进结晶的金属元素。进行第1热处理使非晶硅膜变成结晶硅膜。之后在含卤素的气氛中进行第2热处理，在结晶硅膜上形成含卤的热氧化膜使结晶硅膜变成单畴区。
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公开(公告)号：CN100350318C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410069968.6
申请日：2000-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78675
Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN1328797C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200410034293.1
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。
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公开(公告)号：CN1284241C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200310124529.6
申请日：1997-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L2029/7863
Abstract: 一种有源矩阵显示装置，其特征在于，该装置包括在衬底上形成的有源矩阵电路和驱动器电路；所述驱动器电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：含有第一源/漏区、一对轻掺杂区及它们之间的第一沟道形成区的第一半导体层，以及隔着第一栅绝缘层邻接于所述第一沟道形成区的第一栅电极；所述第二薄膜晶体管包括：含有第二源/漏区及它们之间的第二沟道形成区的第二半导体层，以及隔着第二栅绝缘层邻接于所述第二沟道形成区的第二栅电极；其中：所述第二沟道形成区与所述第二源/漏区直接接触，含n型杂质与p型杂质的一对区段分别邻接于所述第二源/漏区而形成，且所述一对区段中至少有一个与电极连接。
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公开(公告)号：CN1832118A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004120.4
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767707A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099447.X
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN1662107A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510059434.X
申请日：2000-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , G01N33/497 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/3227 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L27/3288 , H01L27/329 , H01L31/153 , H01L33/62 , H01L51/0097 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , H05K1/0298 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/093 , H05K2201/10128 , H05K2201/1031 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，显示出来的图像高度均匀。这种发光器件配备有一个印刷布线板(第二衬底)面对着上面形成有一个发光元件(102)的一个衬底(第一衬底)(107)配置。印刷布线板(107)上的PWB侧布线(第二布线群)通过各向异性导电膜(105a，105b)与元件侧布线(第一布线群)电连接。这里，由于用低电阻的铜箔形成PWB侧布线(110)，因而减少了元件侧布线(103，104)的电压降和信号的延迟，从而提高了图像质量的均匀性和驱动电路部分的工作速度。
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公开(公告)号：CN1606390A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410088070.3
申请日：2000-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/2018 , G09G3/2022 , G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/3258 , G09G2300/023 , G09G2300/04 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/786 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , H01L29/78627 , H01L33/62 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备，其中根据时分法执行灰度显示，在该方法中，设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制，并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时，数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起，而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜，显示极高的工作速度。
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公开(公告)号：CN1575062A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410056393.4
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN1163974C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN97122885.X
申请日：1997-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/32055 , H01L21/321 , H01L21/3221 , H01L27/10873 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。
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