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公开(公告)号:CN1910392A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200580002863.1
申请日:2005-01-13
IPC: F16K47/00
CPC classification number: F16K47/02 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762 , Y10T137/7842 , Y10T137/86389 , Y10T137/86397 , Y10T137/86461
Abstract: 本发明的课题在于实现,通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括:致动器动作式阀,设置在流体通路中;电/气转换装置,向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa);振动传感器,拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路;调节箱,被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr),并且,向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc),通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa),所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。
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公开(公告)号:CN1845857A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200480025642.1
申请日:2004-09-07
CPC classification number: B32B3/12
Abstract: 一种隔板及使用该隔板的板状物的输送方法,该隔板配置于一片板状物表面或多个板状物之间,以比隔板的面积小的接触面积与板状结构物接触。隔板相对板状物的接触面积比率优选小于或等于50%,更加理想的是小于或等于20%,最好小于或等于10%。另外,通过适当选择凹凸的图案形状及形成方向,防止有机物向隔板接触的玻璃基板等板状体的表面的转印、或产生尘埃附着,同时,也防止剥离时的静电产生。
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公开(公告)号:CN1279416C
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN02805589.6
申请日:2002-11-22
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置,其以Qc=KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式,以此Qc=KP2m(P1-P2)n(K为比例常数,m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量,可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置,其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1=r可与临界值rc比较,在临界条件(r≤rc)下以Qc=KP1,在非临界条件(r>rc)下以Qc=KP2m(P1-P2)n运算流量,可一面对应流体的所有条件,一面正确且高速地将流量控制于指定流量。
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公开(公告)号:CN1806319A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200480016271.0
申请日:2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管,它包括:半导体衬底(702,910),该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704,910B)的突出部;栅绝缘膜(708,920B),覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面;栅电极(706,930B),经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上;以及相同电导率类型的扩散区(710a,710b,910c,910d),它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构,MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时,抑制装置面积的增加。
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公开(公告)号:CN1795546A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200480014164.4
申请日:2004-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/314 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0212 , C23C16/0245 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/3127
Abstract: 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题,本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法,其特征在于,包括第一工序与第二工序,其中,所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发,通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理;所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜,所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。
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公开(公告)号:CN1748287A
公开(公告)日:2006-03-15
申请号:CN200480003583.8
申请日:2004-01-29
CPC classification number: H01L21/28167 , H01L21/02008 , H01L21/02027 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L29/045
Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度,特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板,不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化,而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板,在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。
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公开(公告)号:CN1242656C
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN02807326.6
申请日:2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波,产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外,通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。
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公开(公告)号:CN1691980A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200380100226.9
申请日:2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面,能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强,并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中,水分发生用反应炉用含铝的合金形成,对该水分发生用反应炉的内壁面,实施铝的选择氧化处理,形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜,然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜,形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号:CN1225680C
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN99801416.8
申请日:1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种流体可变式流量控制装置,通过一台流量控制装置可自由地改变最大刻度流量,且能以高精度控制多种流体的流量。具体地,在将节流孔上游侧压力P1保持在下游侧压力P2的约2倍以上、进行流体的流量控制的流量控制装置FCS中,包括:为了依据流体的种类或流量范围而设定适当的节流孔直径而设置成可自由更换的节流孔8;设置在其上游侧的控制阀2;设置在控制阀2与节流孔8之间的压力检测器6;从该压力检测器6的上游侧检测压力P1以流量为Qc=kP1(k为常数)进行演算的流量演算回路14;将流量设定信号Qe输出的流量设定回路16;为了切换最大刻度流量,将演算流量信号Qc乘以流量变换率k,变换成切换演算流量信号Qf(Qf=kQc)的流量变换回路18;以该Qf与Qe之差作为控制信号Qy并输出给控制阀2的驱动部4的演算控制回路20,开闭控制阀2,使Qy为零。
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