公开(公告)号：CN116246956A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310219238.2

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢混合气体，并形成氮氢等离子体，使其与吸附在样品表面的前驱体气体发生反应生成第一钝化层；在反应腔中通入惰性气体，对多余的氮氢等离子体和反应副产物进行吹扫；在反应腔中通入惰性气体，形成第二等离子体，对第一钝化层进行处理，增加其致密度；在反应腔中通入惰性气体，对多余的第二离子体进行吹扫；重复上述步骤，以获得目标厚度的第一钝化层。

公开(公告)号：CN115954357A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310070433.3

申请日：2023-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 潘茂林 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  张鹏浩 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片，包括：衬底；衬底包括第一区域与第二区域；第一区域与第二区域沿第一方向依次排列；第一方向平行于衬底所在的平面；GaN HEMT功率器件与驱动模块；GaN HEMT功率器件与驱动模块分别形成于第一区域与第二区域；第一外延层与第二外延层；第一外延层与第二外延层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上，且位于驱动模块与衬底之间；其中，第一外延层是N+型掺杂、N‑型掺杂或N型掺杂，第二外延层是P+型掺杂。该技术方案解决了传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式存在的寄生电容电感的的问题，同时避免了集成之后的GaN HEMT功率器件与驱动模块，在GaN HEMT功率器件的高压应用中可能出现的背栅问题。

公开(公告)号：CN114999920A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210682332.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈鲲 ,  杨静雯 ,  孙新 ,  徐敏 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。

公开(公告)号：CN114639606A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210199870.0

申请日：2022-03-01

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 孙新 ,  徐敏 ,  张卫 ,  汪大伟 ,  刘桃 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。

公开(公告)号：CN114615427A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210153767.2

申请日：2022-02-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王军华 ,  李一丹 ,  徐敏 ,  李旭锋

IPC: H04N5/232 ,  G06N20/00

Abstract: 本发明属于波前编码技术领域，具体为一种基于小样本的波前编码场景数据集增强方法。本发明方法包括：获取小样本数据集，使用普通相机和波前编码优化后的相机对相似场景成像进行数据获取；随机抽样定理估计点扩散函数，将图像划分为内点进行多次迭代获得点扩散函数；数据集增强，对获得的点扩散函数进行几何变换等数据增强的操作并在图像卷积后加噪。本发明可以解决自然条件下波前编码数据集获取工作量过大、对图像清晰度要求高的问题。

公开(公告)号：CN114242594A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111524853.1

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 刘桃 ,  张卫 ,  徐敏 ,  汪大伟 ,  孙新 ,  潘哲成 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上后栅单扩散隔断工艺方法，其用于形成单扩散隔断空腔的虚设伪栅极的刻蚀是在GAA器件的有源金属栅极制备完成后才进行，由于源/漏区会向两侧的鳍结构施加应力；而在沟道释放后，有源伪栅极对应的鳍结构中只剩下了沟道层，因而源/漏区的应力会集中到沟道层上，使得沟道层的应力得到增强。并且由于此时虚设伪栅极及其对应的鳍结构还未进行处理，其也会向GAA器件的沟道层传递应力，使得GAA器件的沟道层的应力达到最大；同时，由于在进行虚设伪栅极的刻蚀前，GAA器件的沟道层已经被有源金属栅极包裹，其对沟道层的应力产生禁锢作用，使得在后续虚设伪栅极刻蚀后，GAA器件的沟道层的应力因弛豫带来的影响降到最低。

公开(公告)号：CN113889413A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111070721.6

申请日：2021-09-13

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 陈鲲 ,  徐敏 ,  杨静雯 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。

公开(公告)号：CN113659972A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202111069578.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  张卫

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本发明不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

公开(公告)号：CN113658068A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110927314.6

申请日：2021-08-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王军华 ,  曹宇翔 ,  王鼎 ,  李一丹 ,  王施相 ,  徐敏

IPC: G06T5/00 ,  G06T5/40 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的CMOS相机的去噪增强系统及方法，该去噪增强系统包括：获取单元，通过搭建低照度环境模拟和采集系统，收集成对的低照度图像和相应正常光照下的参考图像作为训练的数据集；训练单元，通过将获取单元获取的数据集进行图像预处理后成对地输入卷积神经网络，通过优化损失函数进行模型训练；测试单元，通过将待测试图像输入已经训练好的模型中，得到去噪增强后的图像，并后续进行其他图像处理操作。本发明对CMOS相机在仅含有微弱可见光和红外光的暗环境下拍摄图片进行去噪和增强，解决以往去噪算法需要合成噪声、进行噪声估计、噪声去除不干净或导致图像细节过度平滑等问题。

公开(公告)号：CN112992895A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110111817.6

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  张卫 ,  王晨 ,  徐赛生

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。