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公开(公告)号：CN119584582B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510131104.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、势垒层，势垒层上设置有栅极P型氮化镓层和第一栅极金属层。栅极P型氮化镓层的两侧设置有源极欧姆金属层、漏极欧姆金属层，以及各自上方连接的源极场板金属层和漏极场板金属层，栅极P型氮化镓层和漏极欧姆金属层之间设置有空穴注入结构，空穴注入结构包括矩形P型氮化镓层、第二栅极金属层，以及穿设于矩形P型氮化镓层和第二栅极金属层中部并连接氮化镓层的欧姆金属柱，欧姆金属柱与漏极场板金属层连接。通过引入该特殊结构，可实现空穴的注入，进而有效地释放硬开关工作时器件表面陷阱和缓冲层陷阱中俘获的电子，提升器件长期工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN115295661B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210893162.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F30/223 , H10F71/10 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN119208373A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411676742.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。
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公开(公告)号：CN119044086A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411165014.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请公开了一种硝酸盐传感器及其应用，属于水质检测技术领域。它包括外壳结构、复合封装光源、光强探测组件和控制电路主板。通过以n×n形式复合封装多个LED芯片与单个紫外探测芯片，增强硝酸盐检测波长230nm的发光强度，同时实现光强的原位检测与修正；通过光强信号排序取值、多波长吸光度修正及滤波器算法，排除颗粒物对光谱法测试结果的干扰，修正测得的硝酸盐吸光度，简化操作与维护过程，提高测试结果的准确性以及多场景水质的适用性。
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公开(公告)号：CN118275849B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410704305.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335789B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410751811.9
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/66 , H01L21/335 , G01N21/66
Abstract: 本发明公开一种用于辐照损伤检测的GaN HEMT器件及其检测和制作方法，属于半导体辐照损伤检测分析领域。本发明在势垒层顶面设有p型氮化镓层，p型氮化镓层内外两侧的氮化镓层顶面分别设有漏极和源极，p型氮化镓层顶面设有肖特基金属层，p型氮化两侧的势垒层顶面分别设有第一欧姆金属层和第二欧姆金属层，第二欧姆金属层包括互为叉指的内齿轮电极和外齿轮电极。本发明采用电致发光对辐照前后的GaN HEMT器件在垂直方向与水平方向上分别采集发光波长、强度和区域的数据，对辐照前后的两组数据进行比对分析，确认缺陷在各自区域产生的类型。本发明能够从不同维度监测GaN HEMT器件在辐照前后的变化，从而识别缺陷在器件各层及区域的产生类型和分布情况。
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公开(公告)号：CN118693179A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411175841.6
申请日：2024-08-26
IPC: H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种4H‑SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及半导体紫外雪崩光电探测器技术领域。该4H‑SiC雪崩光电探测器中的外延台面结构以所述外延台面结构在 晶向上的最宽处中垂线为界面，位于所述界面两侧的外延台面结构在 晶向上的平均宽度不相等，形成一种在 晶向上具有非中心对称的外延台面结构，以减小载流子屏蔽区域，进一步增大器件有效的雪崩面积，提升器件的单光子探测性能。
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公开(公告)号：CN118099243B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410506023.3
申请日：2024-04-25
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开一种深紫外光广角探测封装结构，属于深紫外光信号探测技术领域。封装结构包括底座、深紫外探测器、管壳、衬底和超构透镜，超构透镜的排布方式包括单独整体排布、环形排布和扇形排布中的任意至少一种；单独整体排布的超构透镜整体用于将全角度入射光聚焦于深紫外探测器；环形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个环形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点；扇形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个扇形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点。本发明利用超构透镜实现多角度入射光聚焦的技术，解决大角度入射光信号被挡住导致的探测器探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118099243A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410506023.3
申请日：2024-04-25
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开一种深紫外光广角探测封装结构，属于深紫外光信号探测技术领域。封装结构包括底座、深紫外探测器、管壳、衬底和超构透镜，超构透镜的排布方式包括单独整体排布、环形排布和扇形排布中的任意至少一种；单独整体排布的超构透镜整体用于将全角度入射光聚焦于深紫外探测器；环形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个环形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点；扇形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个扇形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点。本发明利用超构透镜实现多角度入射光聚焦的技术，解决大角度入射光信号被挡住导致的探测器探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118099206A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410482373.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。
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