公开(公告)号：CN107587190A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710691185.9

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。

公开(公告)号：CN107293625A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710464683.X

申请日：2017-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  戴姜平 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0029 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1-xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1-xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1-xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。

公开(公告)号：CN107109697A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480077741.8

申请日：2014-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  施毅 ,  李盷 ,  定光雄一 ,  滨田真弘

IPC: C30B29/54 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/06 ,  C23C14/12 ,  C30B23/002 ,  C30B29/54 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558

Abstract: 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华时的温度，其中源温度高于衬底温度；将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；控制生长时间，压强及沉积温度，那么就可以在衬底上沉积所需目标厚度和形态的晶体层；外延的超薄的有机半导体晶体层总共有几个分子层甚至单分子的厚度。进一步地，阐明了这种方法制备的层状结构及使用其制备逻辑门。

公开(公告)号：CN106872528A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710047469.4

申请日：2017-01-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘力佳 ,  鄢锟 ,  马仲 ,  严可 ,  施毅

IPC: G01N27/04 ,  G06K19/077 ,  H01Q1/22

CPC classification number: G01N27/023 ,  G01N27/04 ,  G06K19/07775 ,  H01Q1/2225

Abstract: 一种基于NFC标签的无源无线气体传感器，包括：NFC芯片、与所述NFC芯片两端相连的谐振天线、集成于所述NFC谐振天线上的气敏薄膜、以及用于读取气体浓度信息的NFC设备；所述NFC芯片的工作频段为HF频段，聚苯胺及其与金属氧化物的复合物构成气敏薄膜。所述气敏薄膜集成于所述NFC标签的方式为：串联方式，所述气敏薄膜为所述NFC谐振天线的串联的一部分；或气敏薄膜与NFC谐振天线的连接形式为并联时，所述气敏薄膜涂覆于所述NFC谐振天线相邻线圈之间。

公开(公告)号：CN106206872A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610635841.9

申请日：2016-08-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  何国堂 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L2933/0008

Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。

公开(公告)号：CN103065956B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210579182.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 王刚 ,  施毅 ,  赵毅 ,  汪翌 ,  吴汪然 ,  孙家宝 ,  王军砖 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。

公开(公告)号：CN103966621A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410026998.2

申请日：2014-01-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  陶涛 ,  智婷 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C25B1/04 ,  C25B11/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

CPC classification number: Y02E60/366

Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um，InGaN层、10nm-1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1-5μm、InGaN层厚度100-500nm；DBR层为8-16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40-70nm和60-90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。

公开(公告)号：CN102465335B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201010549563.8

申请日：2010-11-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  谢自力 ,  华雪梅 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/40

Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。

公开(公告)号：CN103681898A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310680602.1

申请日：2013-12-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  高望 ,  张荣 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  曹先雷 ,  李志成 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G02B5/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02165 ,  G02B5/3041 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于SiO2/Si3N4分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器，选用蓝宝石(0001)、氮化铝或铝镓氮衬底，衬底的表面为平整面；在衬底上或者具有紫外探测器件结构的表面生长制备一前一后堆叠的分布式布拉格底镜和顶镜两个反射镜，两反射镜间用中间隔离层隔开，形成紫外带通滤波器；生长分布式布拉格反射镜底镜,以形成带通滤波器反射谱中的长波段右禁带，在底镜上继续生长分布式布拉格反射镜顶镜,形成带通滤波器反射谱中短波段左禁带，选择介质薄膜SiO2与Si3N4、TiO2、HfO2中之一两者组成分布式布拉格反射镜(DBR)的单位结构，顶镜或底镜的反射镜周期数为4～20；整个厚度范围为1.5μm～2μm。

公开(公告)号：CN103219381A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310015376.5

申请日：2013-01-16

Applicant: 南京大学 ,  常州子睦半导体有限公司

Inventor： 赵毅 ,  孙家宝 ,  施毅 ,  赵杰 ,  董晓宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。