公开(公告)号：CN106206872A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610635841.9

申请日：2016-08-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  何国堂 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L2933/0008

Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。