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公开(公告)号：CN102163606A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN100448771C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510117340.3
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种预测微结构力学特性的方法，其包括以下步骤：(1)制作出一系列版图尺寸不同的检测结构；(2)根据实验得到的这些检测结构的力学特性；(3)由检测结构的版图尺寸和力学特性，反算出修正参数；(4)根据所设计的MEMS结构的版图尺寸，选用相应的版图尺寸的结构所对应的材料修正参数，预测MEMS结构的力学特性。当需要预测采用ICP刻蚀释放的体硅梁的刚度时，可以采用折梁支承的平行板电容器作为检测结构，通过测量其侧向吸合电压得到不同版图宽度和不同间距的体硅梁的修正弯曲刚度或修正弹性模量，用于预测不同版图尺寸的体硅梁的刚度。验证实验表明，对于宽梁、窄梁和中等宽度的体硅梁，本发明提出的新方法都可以准确预测其刚度。
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公开(公告)号：CN100344793C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510117341.8
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1752288A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510117341.8
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。
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公开(公告)号：CN1233985C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
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公开(公告)号：CN1648634A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
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公开(公告)号：CN1598060A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009379.9
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。
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公开(公告)号：CN1182371C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03104785.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架，中心为一带穿通图形的硅膜片，膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片，四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片，一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜，之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计，是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用，或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术，本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。
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