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公开(公告)号：CN117672866A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311662368.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/34 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/04 , C23C16/04 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种面向集成电路应用的氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。该氧化物晶体管的器件结构包括衬底、栅电极、电介质层、氧化物有源层和源/漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型，所述氧化物有源层采用异质结结构，其中下层氧化铟及掺杂氧化铟薄膜采用磁控溅射工艺生长，上层氧化锌及掺杂氧化锌薄膜采用原子层淀积工艺生长，表征显示，所述异质结结构氧化物有源层薄膜具有良好的界面质量。采用本发明制备的氧化物晶体管具有优异的电学性能，器件场效应迁移率超过100厘米平方/伏特·秒，器件综合特性达到国际一流水平，具有广阔的发展前景和实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN111161164B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 豪威触控与显示科技(深圳)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN111161164A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉迪思电子科技(上海)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN105070762B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510430849.7
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN105627933B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610099285.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明的实施例提供一种测距模组、三维扫描系统以及测距方法。该测距模组，包括：摄像头，该摄像头包括：镜头，包括透镜组且具有光轴；第一和第二反射镜，构造为反射来自所述镜头的成像光；第一和第二图像传感器，分别对应于所述第一和第二反射镜且分别接收来自所述第一和第二反射镜的成像光以成像，分别具有第一和第二感光面，所述第一和第二感光面具有第一和第二中心点，其中，所述第一和第二中心点的连线垂直于所述镜头的光轴，所述第一和第二感光面相对于所述第一和第二中心点的连线倾斜，所述第一和第二感光面相对于所述连线分别具有第一和第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角至少之一不为零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157686B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410392105.6
申请日：2014-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种结合垂直沟道和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区(2)位于垂直沟道(4)的底部，与衬底(1)相接；漏区(3)位于垂直沟道绕住垂直沟道(4)；源区(2)和漏区(3)分别与沟道(4)形成相同势垒高度的肖特基接触；源漏所用金属材料相同。该结构利用肖特基势垒源/漏结构降低了热预算、减小了串联电阻和寄生电容、简化了工艺要求，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。(4)的顶部；栅介质层(5)和栅电极(6)呈环状围
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公开(公告)号：CN105552113A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610111860.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105280141A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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公开(公告)号：CN104766892A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510158994.4
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/1033 , H01L29/227 , H01L29/66772 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钙的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的半导体薄膜晶粒尺寸低于20nm，且分布均匀，属于纳米晶氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件的迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术。
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公开(公告)号：CN102694030B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210180199.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。本发明利用石墨烯纳米带形成的异质结构在保持隧穿场效应晶体管较小漏电流的同时增大开态电流，并进一步减小亚阈值斜率。
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