公开(公告)号：CN105552113B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201610111860.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  张晓密 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105552113A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610111860.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  张晓密 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。