公开(公告)号：CN101027941A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200480044055.7

申请日：2004-09-24

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5361 ,  H05B33/04

Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。

公开(公告)号：CN101005011A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710003265.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H1/26 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1947478A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013172.1

申请日：2005-03-30

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  二井启一 ,  铃木辉彦 ,  加藤丈佳

IPC: H05K3/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H05K3/1258 ,  G02F2001/136295 ,  G03F7/40 ,  H01L21/481 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/0073 ,  H05K3/1241 ,  H05K3/184 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/095 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：在绝缘基板上利用旋涂法形成热固性的感光性树脂膜；利用紫外线等的放射线对感光性树脂膜进行曝光并利用显影剂或蚀刻进行显影；将感光性树脂膜加热固化；根据需要进行氧等离子处理或紫外线照射处理，而将该感光性树脂膜干燥来调整树脂膜中的水分量；然后，将其暴露在氟气气氛中并进行退火处理；然后用氢氟酸类药液浸泡树脂膜。

公开(公告)号：CN1930415A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007844.8

申请日：2005-02-16

Applicant: 大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  加藤丈佳 ,  田中公章 ,  中村昌洋 ,  田中克知

IPC: F17C1/10 ,  C23C4/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/18

CPC classification number: C23C30/00 ,  C23C4/11 ,  C23C8/02

Abstract: 本发明提供了一种处理原料气体的气体制造设备，并防止由气体供给容器引起的原料气体的污染。反应性高的原料气体，特别是氟化烃的气体制造设备和供给容器中的气体接触表面的表面粗糙度，按中心平均粗糙度Ra计为小于或等于1μm。优选在控制了表面粗糙度的气体接触表面形成氧化铬、氧化铝、氧化钇、氧化镁等的氧化性钝化膜。

公开(公告)号：CN1910392A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002863.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC: F16K47/00

CPC classification number: F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

Abstract: 本发明的课题在于实现，通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括：致动器动作式阀，设置在流体通路中；电/气转换装置，向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa)；振动传感器，拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路；调节箱，被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr)，并且，向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc)，通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa)，所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1845857A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025642.1

申请日：2004-09-07

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大 ,  上野光保

IPC: B65D57/00 ,  B65D85/38 ,  B65D85/48 ,  B65G57/00 ,  C04B41/80 ,  C03C17/00

CPC classification number: B32B3/12

Abstract: 一种隔板及使用该隔板的板状物的输送方法，该隔板配置于一片板状物表面或多个板状物之间，以比隔板的面积小的接触面积与板状结构物接触。隔板相对板状物的接触面积比率优选小于或等于50％，更加理想的是小于或等于20％，最好小于或等于10％。另外，通过适当选择凹凸的图案形状及形成方向，防止有机物向隔板接触的玻璃基板等板状体的表面的转印、或产生尘埃附着，同时，也防止剥离时的静电产生。

公开(公告)号：CN1279416C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN02805589.6

申请日：2002-11-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  宇野富雄 ,  中村修 ,  池田信一 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  松本笃咨 ,  杉山一彦 ,  乾秀二郎 ,  酒井泰治 ,  植山将宜

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D7/0635 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761

Abstract: 本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置，其以Qc＝KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc＝KP2m(P1-P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1＝r可与临界值rc比较，在临界条件(r≤rc)下以Qc＝KP1，在非临界条件(r＞rc)下以Qc＝KP2m(P1-P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。

公开(公告)号：CN1806319A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016271.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045

Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。

公开(公告)号：CN1795546A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014164.4

申请日：2004-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。