一种数字PCR芯片及其制备方法以及使用方法

    公开(公告)号:CN108373969A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810027439.1

    申请日:2018-01-11

    Abstract: 本发明提供一种数字PCR芯片及其制备方法以及使用方法。该数字PCR芯片包括自下而上依次设置的:玻璃支撑层、密封层、反应层、空腔层以及防水层,其中,所述反应层与密封层通过键合在反应层与密封层之间形成主流道和通过主流道间隔开的多个独立的PCR反应腔室,所述空腔层与反应层通过键合在空腔层与反应层之间形成空腔,所述反应层、空腔层以及防水层还具有依次贯穿的进样口和出样口,所述空腔层和防水层具有依次贯穿的空腔层入口和空腔层出口;其中,所述密封层、反应层和空腔层由聚二甲基硅氧烷制成,所述防水层由聚对二甲苯制成。根据本发明,提供了一种操作简单的、速度快的、通量高的、自动化程度高的、造价低廉的数字PCR芯片。

    基于双面键合工艺的微色谱柱及其制备方法

    公开(公告)号:CN108181413A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201611124553.3

    申请日:2016-12-08

    Inventor: 冯飞 李昕欣

    Abstract: 本发明提供一种基于双面键合工艺的微色谱柱及其制备方法,所述制备方法包括步骤:在一块硅片上正、反两面刻蚀微色谱柱所需的微沟道,随后分两步分别在该硅片的正反两面完成硅玻璃阳极键合,最后获得玻璃-硅-玻璃结构的双色谱柱芯片;或者在两块硅片上分别刻蚀出微色谱柱所需的微沟道,随后分两步分别在一块玻璃片的正反两面完成硅玻璃键合,最后获得硅-玻璃-硅结构的双色谱柱芯片。当采用微色谱柱和微热导检测器组成微型气相色谱仪时,只需一个本发明所提供的双面键合的微色谱柱芯片,具有便于安装,节省材料成本等诸多优点,在微电子机械系统领域尤其是色谱分析领域具有广泛的应用前景。

    基于铁磁悬臂梁的低振动阈值监控二级能量采集器

    公开(公告)号:CN107994807A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610947457.2

    申请日:2016-10-26

    Inventor: 李昕欣 何启盛

    Abstract: 本发明提供一种基于铁磁悬臂梁的低振动阈值监控二级能量采集器,包括固定架,及固定在固定架内的第一级低频振子和第二级高频振子;第一级低频振子包括:第一端固定在固定架一侧,第二端为自由端的第一悬臂梁;位于第一悬臂梁第二端第一表面的永磁体;位于第一悬臂梁第二端第二表面或永磁体上表面的质量块;第二级高频振子包括:第一端固定在固定架另一侧,第二端为自由端的第二悬臂梁;位于第二悬臂梁第一表面的压电薄膜;其中,第一、第二悬臂梁为铁磁悬臂梁,且第一悬臂梁的第二端和第二悬臂梁的第二端之间设有预设距离。通过本发明所述的二级能量采集器,解决了现有技术中二级能量采集器功能单一、以及感应小振幅、低加速度振动效率低的问题。

    一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法

    公开(公告)号:CN107527861A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201610451522.2

    申请日:2016-06-21

    CPC classification number: H01L21/768 H01L21/28 H01L21/67017

    Abstract: 本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法,所述喷嘴片结构包括:喷嘴片面板;贯穿所述面板上表面及下表面的通孔;与所述通孔连通的液态金属引流槽;所述引流槽由所述面板上表面开口,并往所述面板下表面方向延伸,但未贯穿所述面板下表面;至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽;所述通气槽由所述面板上表面开口,并往所述面板下表面方向延伸,但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充,且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应,从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。

    一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN105067471B

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201510443118.6

    申请日:2015-07-24

    Abstract: 本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底中形成有微悬臂结构;所述微悬臂结构的微悬臂梁表面形成有亲水层;在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层;在所述衬底表面形成疏水分子层;去除所述保护层,露出其下的亲水层;在去除所述保护层的过程中,所述保护层表面的疏水分子层也被去除,其余部分的疏水分子层不受影响;在所述衬底表面涂覆敏感材料,由于所述疏水分子层的存在,所述敏感材料集中于所述敏感区域。本发明通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭,仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面,从而使敏感材料固定在悬臂谐振结构的该区域上,使敏感材料的固定实现批量化。

    冲击加速度传感器交叉轴响应的空间分波测试方法

    公开(公告)号:CN104407173B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201410723691.8

    申请日:2014-12-03

    Abstract: 本发明提出一种冲击加速度传感器交叉轴响应的空间分波测试方法,采用具有一定长径比金属杆,有利于实现扭转波和纵波的自动分离,从而使扭转波不对主波产生影响,排除了非本征的干扰因素,获得器件固有的交叉轴响应;根据纵波和扭转波具有不同的波速而将两种波在空间上分离开,给出扭转波、纵波和主波在空间上分离的时间判据,排除扭转波等对加速度传感器产生的非本征影响;在测试的过程中选择不同的机械滤波材料,如不同型号的双面胶,对产生的波起到滤波和整形的作用,有利于抑制高频波,消除干扰,有利于对扭转波的识别和分离,又可以获得加速度传感器不同频率下的交叉轴响应。

    基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法

    公开(公告)号:CN106915723A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201510998013.7

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: B81C1/0015

    Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法,包括以下步骤:1)提供(111)硅片;2)采用激光加工工艺在所述(111)硅片背面形成第一深槽;3)在所述(111)硅片正面形成第二深槽;4)在所述(111)硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层;5)在所述(111)硅片正面形成第三深槽;6)在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层;7)采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁-质量块结构,可降低整个工艺的成本;梁结构的厚度由从(111)硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定,工艺精度高。

    硅基电容式声发射传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106841396A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201510881188.X

    申请日:2015-12-03

    CPC classification number: G01N29/14

    Abstract: 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法,包括:声发射敏感膜;停靠环,位于声发射敏感膜的下表面;边框,位于声发射敏感膜外围,且与声发射敏感膜相隔一定的间距;边框的上表面设有上电极,下表面设有第一绝缘层;支撑膜,位于声发射敏感膜与边框之间;下电极硅片,下表面设有下电极,上表面设有第二绝缘层;第二绝缘层与第一绝缘层上下对应,且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形,使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面,声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上;在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后,声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙,可极大地提高传感器的灵敏度。

    自供电无线振动自主报警系统及其方法

    公开(公告)号:CN106329987A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510346968.4

    申请日:2015-06-19

    Abstract: 本发明涉及一种自供电无线振动自主报警系统及方法,可以监测外界环境的机械振动,并在振动幅度高于特定预设阈值时自主无线发送报警/提示信号,属于传感器技术和物联网领域。本发明所述的自主报警微系统由振动自感知能量采集器、能量转换与存储单元、控制电路和无线发射电路组成。振动自感知能量采集器具有驱动阈值,在环境振动幅度低于阈值时不发电,只在环境振动幅度高于阈值时将振动的机械能转化成电能。发出的交流电在能量转换与存储单元中转化为直流并存储起来。控制电路检测到电能积攒到一定程度时,控制无线发射电路上电并发射报警/提示信号,报告事件的发生。

    适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103185612B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201110443973.9

    申请日:2011-12-27

    Abstract: 本发明提供一种适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制备方法,所述单硅片微流量传感器包括一单晶硅基片、二压力传感器和具有出/入通口的微流体沟道,本发明采用单硅片单面体硅微机械加工方法,在单晶硅基片内部制作所述微流体沟道、取压通道和压力传感器的参考压力腔体,并将所述二压力传感器和微流体沟道出/入通口巧妙地集成在同一单晶硅基片的同一面上,结构简单。本发明既避免了不同键合材料间热匹配失调所导致的残余应力和压力传感器的压力敏感薄膜厚度不均的问题,又适于利用表面贴装封装技术实现单硅片微流量传感器裸片与微流体系统的集成,具有制备成本低、封装方便、灵敏度高、稳定性好等特点,适合大批量生产。

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