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公开(公告)号：CN113093334B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110472031.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器及探测方法，包括：定向耦合器，用于实现TE0模式至TE1模式的转换；偏振旋转器，与所述定向耦合器连接，用于实现TE1模式至TM0模式的转换；纳米线单光子探测器，与所述偏振旋转器连接，用于实现对TM0模式的吸收及探测。本发明的基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器结构简单，是在SOI结构的基础上实现TE0模至TM0模的高效转换，并由纳米线单光子探测器快速吸收并探测，不仅极大地缩短了纳米线所需长度，从而降低了纳米线制作所要求的工艺条件，还保护器件避免被刻蚀剂破坏，使得器件工作性能稳定。
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公开(公告)号：CN112255726B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011286995.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构，包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，当激光照射到硅导线时硅导线与衬底之间发生近场耦效应，且距离激光光源较近的一根硅导线完全抑制，距离激光光源较远的另一根硅导线保持亮度。本发明能够对某个特定角度的激光信号进行精确探测以及沿特定方向上进行非接触信号传输。
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公开(公告)号：CN118759642A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913133.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于绝热亚波长光栅的光学器件，包括：第一耦合区，包括两条宽度沿第一端向第二端逐渐变小的锥形波导；第二耦合区，包括两条相互平行、且分别与所述第一耦合区的两条锥形波导的第二端连接的带状波导，两条所述带状波导的宽度相同；第三耦合区，包括两条宽度沿第一端向第二端逐渐变大、且分别与所述第二耦合区的两条带状波导连接的锥形波导；所述第二耦合区的两条带状波导上分别叠加有第一绝热亚波长光栅和第二绝热亚波长光栅，通过调节所述带状波导的宽度和长度、以及所述第一绝热亚波长光栅和第二绝热亚波长光栅宽度之间的差值来实现入射光的任意公分比。本发明能够实现可调任意公分比的超大带宽、小尺寸、低损耗的光耦合器。
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公开(公告)号：CN118244518A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408712.0
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结；所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的三维掺杂结构，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN109742202B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910142121.2
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单光子源器件、制备方法及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本发明通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106953234B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201710078430.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南通新微研究院
Abstract: 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。
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公开(公告)号：CN113625254A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110907629.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01S7/486 , G01S7/4912
Abstract: 本发明涉及一种微小型激光雷达接收装置，包括球形基体，所述球形基体的表面设有微纳光电探测阵列，所述微纳光电探测阵列由若干均匀排列的微纳光电探测单元组成。本发明的激光雷达接收装置能够检测光的方向和距离，且运算复杂程度低，同时具有小尺寸、轻量化、易于集成、跨尺度测量的优势。
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公开(公告)号：CN113514920A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110406788.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明涉及一种星型耦合器，包括输入波导端、FPR区域和输出波导端，所述输出波导端包括多个输出波导，所述输入波导端与FPR区域的一端相连，所述FPR区域的另一端分别与所述多个输出波导相连，所述FPR区域为以所述输入波导端与所述FPR区域的耦合点为中心，以FPR区域长度为半径构成的扇形区域，所述FPR区域设置有若干规则形状单元格，根据预设成像算法和预设目标函数调整所述规则形状单元格的状态，使所述输出波导的功率均匀分布；本发明还涉及一种星型耦合器的功率均匀分配方法，能够有效克服星型耦合器的输出功率分配不均匀的问题，并且计算量小且复杂度低。
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公开(公告)号：CN113325514A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110582047.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光功率分束器的锥形波导区设计方法，包括：将锥形波导区的初始二维几何形状数字化为若干个几何参数点；根据光功率分束器不同的光功率分配比，以多个预设波长点的传输效率作为目标优化函数，对所述若干个几何参数点进行多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状；根据光功率分束器不同的光功率分配比和多个预设波长点的传输效率，确定所述锥形波导区的最终二维几何形状；本发明还涉及一种光功率分束器；本发明采用伴随形状优化法多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状，并通过样条插值法定义锥形波导区的几何形状，避免生成需要小特征尺寸的尖锐角结构。
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公开(公告)号：CN112817086A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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