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公开(公告)号：CN103293338B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310264211.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用，本发明采用单晶硅纳米线支撑的质量块作为传感部件核心部分，在（111）单晶硅衬底上刻蚀出微米量级的支撑梁，并利用（111）硅片内的晶向分布特点，采用单晶硅各向异性腐蚀和自限制氧化技术将支撑梁细化成具有高成品率和高质量的单晶硅纳米线，使得单晶硅纳米线在传感方向上具有比现有技术中数微米厚度的悬臂梁小得多的刚度，则本发明与传统结构相比，在同样的器件尺寸下能够达到更高的灵敏度，或者在同样的灵敏度下能够实现更小的器件尺寸，在提高该类传感器性能、集成度方面具有应用前景；同时，本发明工艺简单高效，可与体硅加工工艺相兼容，易于实现本发明的大规模制作。
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公开(公告)号：CN103035477B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110296168.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/308 , B82Y40/00 , G03F1/42
Abstract: 本发明涉及一种制备单晶硅纳米结构的方法，属于纳米加工技术领域。该方法利用硅材料的各向异性腐蚀特性，通过在制作腐蚀窗口时引入晶向偏转角，实现用大线宽腐蚀窗口在单晶硅各项异性湿法腐蚀后直接形成单晶硅纳米结构。本发明中的偏转角通过掩膜版上的晶向对准标记可实现精确控制，整个工艺过程简单高效，可实现大规模制做，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN104810411A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410035654.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光导型紫外探测器及其制作方法，该紫外探测器从下而上依次由绝缘衬底、紫外敏感薄膜、金属电极和石墨烯透明梳齿电极构成，其中绝缘衬底可采用石英玻璃片或表面生长或沉积了氧化硅或氮化硅等绝缘介质的硅片，紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种薄膜材料，长条状金属电极由金或铂构成，石墨烯透明梳齿电极覆盖在紫外敏感薄膜和金属电极上方。由于采用石墨烯透明梳齿电极结构，与金属梳齿电极相比较，探测器的紫外辐射透过率高，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN103021985B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110281248.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , G01L1/18 , G01K7/18 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性基板（14）的焊盘上；通过柔性基板（14）的焊盘由焊线（15）实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出，然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装，通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。
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公开(公告)号：CN102914750B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210470225.4
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028
CPC classification number: G01R33/028
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用单端电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在同相位模式，各该谐振振子结构上的金属线圈环绕方向相反，两个谐振振子结构上的金属线圈产生的感应电动势相互串联；由于采用了差分方式输出，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN104111226A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410386287.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种气体检测用光学腔体，由圆柱面反射镜1、平面反射镜2和平面反射镜4组成，其中平面反射经2和平面反射镜4分别位于圆柱面反射镜1上下两侧，入射光线不经过圆柱面反射镜1的中轴线，平面反射镜2或平面反射镜4中心设置台阶式气体交换孔3。本发明所述光学腔体中光源发出的光经反射镜n次反射后到达探测器接收面，大大增加了光程，实现了小体积长光程，可广泛应用于各种光学气体传感器。
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公开(公告)号：CN102680917B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210134030.2
申请日：2012-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/028 , G01R31/2884 , G01R33/0286
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其制备方法，属于微机电系统领域。该方法通过在器件结构层上制作出金属线圈及焊盘，然后利用干法刻蚀制作出器件结构，并将器件结构进行释放以形成谐振振子。本发明提出的微机械磁场传感器的谐振振子工作在扩张模态，因而金属线圈上每小段金属切割磁感线产生感应电动势会相互叠加，增强了输出信号的强度。此外，本发明所述的微机械磁场传感器具有低功耗、驱动-检测电路简单、受温度影响小、以及工艺简单等优点，具有高度的产业价值。
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公开(公告)号：CN102176637B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110027379.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型电磁式振动能量采集器及其制作方法。所述的电磁式振动能量采集器由中心质量块、外部支撑框架、二根折叠弹性梁、平面螺旋线圈、两块永磁体、上盖板及衬底等组成。所述的电磁式振动能量采集器利用体硅微机械加工技术的方法制作振动结构(包括中心质量块和折叠弹性梁)，利用表面微机械加工技术的方法制作平面螺旋线圈，平面螺旋线圈制作在中心质量块的上表面上，两块永磁体并列位于平面螺旋线圈的正上方。本发明的能量采集器可在较低的频率范围内工作，将环境中振动的机械能转化为电能，用于解决无线传感网络或微纳器件等依赖电池供电的问题，该能量采集器具有体积小、制作方法简单、易于批量制造等优点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN103296191A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210049164.4
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微型热电能量收集器及其制作方法，在低阻硅衬底上制作环状沟槽以围成硅热电柱结构，然后在环状沟槽制作绝缘层，再对其填充热电材料以形成环形热电柱结构，然后制作金属布线、保护层以及支撑衬底等以完成制作。本发明的硅热电柱结构直接采用硅基底材料制作，简化了制作工艺。本发明只需一次薄膜沉积工艺就完成了热电偶结构的制作，简化了制作工艺。选择了硅作为热电偶的一种组分，保证了热电偶具有较高的塞贝克系数。采用垂直的柱形结构热电偶，避免了悬浮微结构，提高了热电能量收集器的机械稳定性。通过圆片级键合将热电偶结构和上下支撑衬底进行键合，提高了制作效率。
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公开(公告)号：CN103296190A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210048653.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维热电能量收集器及其制作方法，通过在低阻硅上刻蚀出多个凹槽及凹槽之间的硅柱，然后在凹槽表面形成绝缘层，并通过薄膜沉积技术制作热电柱，藉由所述热电柱与相邻的硅柱组成热电偶对，接着通过刻蚀沉积等工艺制作金属布线，衬底减薄、键合支撑衬底等工艺完成所述三维热电能量收集器的制作。本发明只需一次薄膜沉积工艺就完成了热电偶对结构的制作，简化了制作工艺。选择硅作为热电偶对的一种组分，保证了热电偶具有较高的塞贝克系数。采用垂直的柱形结构热电偶对，提高了热电能量收集器的机械稳定性。通过圆片级键合将热电偶结构和上下支撑衬底进行键合，提高了制作效率。
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