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公开(公告)号：CN113708739A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
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公开(公告)号：CN112272015A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量 均满足模长 且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN111416590A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010244235.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN111081811A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
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公开(公告)号：CN108493326A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810311806.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/253 , H01L41/29 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/047 , H01L41/0986 , H01L41/253 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/171 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法，包括：1）提供单晶压电衬底；2）自注入面向单晶压电衬底内进行离子注入后于注入面形成图形化下电极，或在注入面形成均匀下电极，自均匀下电极面向单晶压电衬底内进行离子注入后将均匀下电极图形化形成图形化下电极；3）在图形化下电极面形成预设厚度的第一低声阻材料层；4）提供表面设有预设厚度的第二低声阻材料层的支撑衬底，将步骤3）得到的结构与支撑衬底键合；5）沿缺陷层剥离部分单晶压电衬底，以得到单晶压电薄膜；6）在单晶压电薄膜远离支撑衬底的表面形成图形化上电极。本发明避免了空气腔谐振结构，机械性能稳定，保持极大的机电耦合系数，可以提高滤波器的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119420313A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411557180.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可重构的声学谐振器及其制备方法，所述声学谐振器包括支撑衬底；位于支撑衬底上的具有凹槽的压电膜；凹槽中设置有发热金属层；位于发热金属层上的第二绝缘介质层；位于压电膜上的第一汇流条、第二汇流条、叉指电极以及相变开关；其中，第一汇流条、第二汇流条相对设置于压电膜的边缘表面；叉指电极设置于第一汇流条与第二汇流条之间，叉指电极包括固定电极以及调谐电极；相变开关的两端均与调谐电极连接。本发明压电膜上的叉指电极通过相变开关与汇流条连接，可以通过控制单元对相变开关进行状态控制，以实现调谐电极的电位可控，从而使得压电膜上的电学条件发生变化，进而实现声学谐振器的频带移动。
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公开(公告)号：CN116318023B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310354290.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
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公开(公告)号：CN115001438B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN118212907A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410191478.0
申请日：2024-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可重构的声学波导。所述波导器件包括衬底、换能器、波导；其中所述换能器包括第一换能器和第二换能器，且第一换能器和第二换能器分别设于波导两侧；所述换能器设于衬底表面，波导材料为冰纤。本发明可以利用升温使得冰融化，进而可以在原来的衬底材料的基础上实现波导的重构，避免额外的加工给实验带来不必要的影响。
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公开(公告)号：CN118209628A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410186256.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合衬底的电声换能结构及其制备方法和应用，所述结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的压电薄膜(2)；位于所述压电薄膜(2)上方的金属电极；所述金属电极由第一汇流条(3)和第二汇流条(4)组成；所述第一汇流条(3)位于所述第二汇流条(4)内部。本发明既可以通过输入电学信号激发弹性波，也可以对物体中的弹性波进行探测，使得激励和检测都可通过本发明的结构实现。
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