-
公开(公告)号：CN101049934A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710040302.1
申请日：2007-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅－锑混合物，组成通式为SixSb100－x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅－锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。
-
公开(公告)号：CN1315155C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410017080.8
申请日：2004-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构的制备方法属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al2O3、Si3N4或SiO2中两种或多种复合层为埋层的SOI结构衬底材料，即先在硅片表面淀积Al薄膜，然后通过键合技术实现层转移，最后经N或O离子注入形成所需埋层材料。所制备的绝缘层上硅结构由三层构成，顶层为单晶硅层，厚度为20-2000nm，中间是绝缘埋层，厚度为50-500nm，底层为硅衬底。得到的SOI衬底材料具有良好的热传导性能，适合高温、大功率或辐照环境下的SOI电路的需要。
-
公开(公告)号：CN1300271C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410066674.8
申请日：2004-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
-
公开(公告)号：CN1610127A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067219.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。
-
公开(公告)号：CN1610114A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067220.2
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体器件(CMOS)结构及其制备方法。结构上特征是PMOS和NMOS处在不同的平面上，但在同一平面上仍是传统的平面MOS晶体管，是一种CMOS结构。先在体硅或SOI衬底上制备PMOS或NMOS，然后利用化学机械抛光、低温键合和低温剥离工艺在器件层上制备另一层SOI结构，在第二层的SOI结构上制备NMOS或PMOS。如此反复，形成多层MOS结构。NMOS与PMOS之间用层间连线相联，形成三维CMOS结构。采用常规的MOS工艺实现高密度器件集成，工艺方法简单，在同样CMOS数量的情况下，可减少光刻次数，减小器件单元面积，并可以减少金属互联线的数目，提高器件的速度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1588642A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410067218.5
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上。其制作方法是在(100)面上形成nMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(110)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(110)面上制备pMOS，连线形成高速的CMOS结构；也可以在(110)面上形成pMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(100)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(100)面上制备nMOS。本发明提供的金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法，可以获得高迁移率、高集成度和低成本。
-
公开(公告)号：CN113277521A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531736.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C01B33/143 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种胶体二氧化硅的制备方法，本发明采用胶体二氧化硅颗粒边生长边过滤边超滤浓缩排水的方法，实现颗粒制造周期缩短一半以上，生产效率大大提高；制备得到的胶体二氧化硅，粒径在60nm‑150nm，大颗粒数(≥0.56微米的颗粒数)
-
公开(公告)号：CN111748286A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010618676.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种金属钴抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤10％；L-天冬氨酸0.005-10％；谷胱甘肽0.005-10％。本发明通过调配氧化剂和络合剂的比例以及添加谷胱甘肽，得到的抛光液可以抑制金属钴的化学腐蚀，同时提高抛光速率以及降低表面粗糙度，同时降低Cu-Co之间的电偶腐蚀，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104559798B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15Å以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
167
records
(took 0.071 seconds)
