公开(公告)号：CN112731091A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011382276.2

申请日：2020-12-01

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  侯波 ,  刘昌

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及SiC MOSFET试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率循环试验方法和试验电路，包括确定SiC MOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；在功率循环试验中，根据沟道导通电压值和沟道关断电压值分别将SiC MOSFET的栅源电压设置为第一电压和第二电压，以使SiC MOSFET在导通时间内升温或在关断时间内降温。监测导通瞬间和关断瞬间SiC MOSFET的结温变化，并根据结温变化判断SiC MOSFET的退化状况。通过预先获取SiC MOSFET的沟道关断电压值，保证在功率循环试验中SiC MOSFET的沟道完全关断，防止因SiC MOSFET的沟道未完全关断而导致结温监测不准确的问题。同时，保证在一个试验循环周期内SiC MOSFET器件经历同样的正偏压应力和负偏压应力，以减少阈值电压漂移导致的结温监测不准确问题。

公开(公告)号：CN111952361A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010630548.X

申请日：2020-07-03

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 施宜军 ,  陈思 ,  付志伟 ,  尧彬 ,  陈义强 ,  王之哲

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件的两端具有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为由欧姆接触电极和肖特基接触电极短接构成的混合电极。所述第一电极处的第一肖特基接触电极下方的耗尽区会随着所述第二电极上施加电压的增加而逐步扩展，由于扩展的耗尽区的电阻较大，会限制电流的继续增加。当所述第二电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流趋于饱和，达到某一固定值。同样地，当所述第一电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流也趋于饱和。因此，对所述半导体器件施加正向偏置电压或反向偏置电压，所述半导体器件均可输出恒定电流。

公开(公告)号：CN111952356A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010669544.2

申请日：2020-07-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 施宜军 ,  陈思 ,  付志伟 ,  尧彬 ,  陈义强

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种HEMT器件结构及其制备方法，结构包括HEMT异质结构层和电极层，所述HEMT异质结构层中设置有第一凹槽；电极层包括设置于所述HEMT异质结构层上的栅极、漏极以及贴近设置的第一源极、第二源极，所述漏极和所述第一源极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，且所述第二源极设置于所述第一凹槽内。在漏极施加正向偏置电压时，第二源极对应位置下的二维电子气能够较快被耗尽，HEMT器件的电流可以在较低的电压下达到饱和状态，可以避免因电磁干扰造成的电压波动对器件工作特性的影响，使得器件具有较低的动态功耗。

公开(公告)号：CN111952354A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010748761.0

申请日：2020-07-30

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 施宜军 ,  陈思 ,  付志伟 ,  尧彬 ,  陈义强 ,  王之哲

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件。包括衬底；设置在衬底上的外延层；设置在外延层远离所述衬底的一侧的势垒层；设置在势垒层远离外延层一侧相对两端的第一电极以及第二电极；第一电极包括栅极结构和浮空电极结构；栅极结构与势垒层相接触；浮空电极结构位于栅极结构与第二电极之间，并与栅极结构相接触，栅极结构还沿着浮空电极结构远离势垒层的一侧延伸至与第二电极相接触。利用第一电极中的浮空电极结构可以将所述半导体器件栅极边缘的电位钳位在较低的电位水平，以避免半导体器件的栅极边缘出现高电位，从而能够在减小器件增强绝缘修栅极结构的沟道长度以提高器件正向特性的同时，抑制了所述半导体器件的短沟道效应。

公开(公告)号：CN109061434B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201810687206.4

申请日：2018-06-28

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈义强 ,  恩云飞 ,  贺致远 ,  黄云 ,  候波 ,  陈媛

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及一种板级电路退化测试方法，通过对比板级电路在选定元器件退化前后输出的第一信号数据和第二信号数据，确定板级电路的退化测试结果。基于此，可根据退化测试结果和选定元器件确定板级电路的退化行为，根据板级电路的退化测试结果确定导致退化的元器件，以便于从物理机制上准确确定板级电路的退化行为。

公开(公告)号：CN111624458A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010483973.0

申请日：2020-06-01

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  侯波 ,  刘昌

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及状态监测技术领域，公开了一种SiC MOSFET监测电路及监测方法，包括采样模块，用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理，并将采集到的电信号与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本发明提供的所述SiC MOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时，可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警，监测过程对系统正常工作的干扰小，且预测精度高。

公开(公告)号：CN110456264A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910758640.1

申请日：2019-08-16

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  张鹏 ,  周斌 ,  陈义强 ,  贺致远

IPC: G01R31/327 ,  G01R31/00

Abstract: 本申请涉及一种大功率器件功率循环试验结温监测方法、装置和系统。所述方法包括：基于预设测试参数控制电源设备给待测器件上电时，采用瞬态结温监测模型处理壳温和功率损耗得到第一类结温；在监测到上电后的待测器件运行稳定时，采用大电流温敏参数模型处理导通电流值和导通电压值得到第二类结温；在监测到升温时长计时结束、且待测器件的结温的增加值达到预设值时，采用小电流温敏参数模型处理导通电压变化量得到第三类结温；在监测到降温时长计时结束、且待测器件的结温的降低值达到预设值时，对测试次数累加一次，直至测试次数达到预设次数或待测器件失效，从而实现从上电到下电降温对待测器件的结温进行全过程实时监测。

公开(公告)号：CN109596961A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811234489.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 贺致远 ,  陈义强 ,  方文啸 ,  苏伟 ,  肖庆中 ,  恩云飞

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2603

Abstract: 本申请涉及一种GaN器件的可靠性测试方法、装置和系统。可靠性测试方法通过获取GaN器件的瞬时电流曲线；其中，瞬时电流曲线为GaN器件经施加脉冲信号得到；脉冲信号为脉冲宽度小于或等于1微秒的信号。基于瞬时电流曲线进行分析，得到GaN器件的可靠性分析结果。脉冲宽度小的脉冲信号可向GaN器件施加短脉冲电应力，GaN器件的栅极区域可以施加较大的瞬态累加电压应力；同时，实时监测、分析每个短脉冲电应力后GaN器件的电流波形，可获取器件退化、失效的动态全过程行为。本申请实施例的测试方法简单、易操作，在短脉冲的条件下，可施加比传统测试方法更高的电压强度，能够分析器件的可靠性，比对不同器件结构参数之间的优劣性。

公开(公告)号：CN108169654A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201810003044.8

申请日：2018-01-02

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 苏萌 ,  陈义强 ,  胡坚耀 ,  贺致远 ,  黄林轶 ,  徐华伟 ,  彭琦 ,  陈玉明 ,  刘群兴 ,  杨林

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率模块HTRB可靠性测试系统，包括机箱，设置于所述机箱上的通信连接的控制机构和测试模组；所述控制机构包括设置于所述机箱上的主控制器、与所述主控制器连接的输入输出模块、以及与所述主控制器连接的测试模块；每个所述测试模组均包括设置于所述机箱上并与所述测试模块通信连接的控制检测电路和电源模块、以及与所述控制检测电路和电源模块均连接的至少一个抽屉式的超导恒温槽结构；且所述超导恒温槽结构用于放置IPM模块或IGBT模块，所述控制检测电路和电源模块还用于控制测试IPM模块或IGBT模块。本发明提供一种功率模块HTRB可靠性测试系统，适用于IPM、IGBT电性可靠性试验，操作性、稳定性、效率均符合大规模生产需要。

公开(公告)号：CN119578194A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411619597.8

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 董玉凤 ,  张战刚 ,  雷志锋 ,  陈义强 ,  李鸿德 ,  叶结锋

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/10 ,  G16C60/00 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F111/08

Abstract: 本申请涉及粒子沉积和半导体抗辐射分析技术领域，公开了一种基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法，依次包括：材料和粒子源设置，能量沉积计分器的使用，单粒子事件的统计，计算软错误率，以及输出和数据分析。采用本申请，大幅地减少实地实验的需求，节省了实验所需的时间和成本。并且，通过仿真方法，设计人员能够更高效地计算α粒子在半导体器件中的能量沉积，并得到α粒子的软错误率，可依据此数据进行半导体器件的抗辐射加固设计，进而提高器件的抗辐射性能和可靠性。