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公开(公告)号：CN119545901A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411461368.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括衬底；所述衬底自下而上依次设置有不同孔隙率的多孔硅结构、氧化层、顶层硅层。制备方法包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行阳极氧化，通过改变工艺参数在第一衬底上形成不同孔隙率的多孔硅结构；(3)对第一衬底进行热处理，以稳定多孔硅结构；(4)将第一衬底与第二衬底键合，并通过热处理进行分离形成绝缘体上硅衬底；(5)对绝缘体上硅衬底表面进行热氧化处理，并用刻蚀剂去除氧化层以减薄顶层硅厚度；(6)对绝缘体上硅衬底表面进行高温热处理，得到平坦的顶层硅。本发明所制备的绝缘体上硅结构实现射频与光通信技术的单片集成。
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公开(公告)号：CN119534398A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411582504.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/47 , H01L21/66 , G01N21/01 , G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的LSE尺寸，基于所述LSE尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据LSE尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小；本发明测量氧沉淀的方法对于含有大量氧沉淀的待测硅片，可以快速准确的得到其氧沉淀的实际大小，节约时间，降低成本。
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公开(公告)号：CN114678272A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210185094.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明涉及一种NiGe/n‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGe/n‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。
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公开(公告)号：CN111722321A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010060074.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/30
Abstract: 本申请涉及一种光膜转换器及其制备方法，该光膜转换器集成在硅波导上，并与光纤连接。光膜转换器包括衬底层、电介质层、第一波导层和第二波导层；第一波导层包括第一波导和第一电介质槽；第一波导的顶部和第二波导层接触，第一波导的底部和电介质层接触；第一波导的宽度由远离光纤至靠近光纤的一端逐渐增大；第一电介质槽围绕设置于第一波导的外侧；第一电介质槽的底部与电介质层连通；第二波导层包括第二波导；第二波导朝向光纤的端面与第一波导朝向光纤的端面互相配合，用于耦合光纤。本申请通过上述光膜转换器实现光膜尺度从硅波导到光纤的尺度转换，如此，可以降低芯片与光纤光耦合损耗，可以降低光纤成本。
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公开(公告)号：CN103165409B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110419356.5
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Si层，形成Si1-xGex/Si双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si双层薄膜，在所述Si衬底上制备出超晶格，形成包括至少一种所述超晶格的超晶格层组，接着在所述超晶格层组上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层并使所述Si1-yGey层弛豫以形成弛豫Si1-yGey层，由所述超晶格层组和弛豫Si1-yGey层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-yGey层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386068B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110215670.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。
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公开(公告)号：CN103165409A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110419356.5
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Si层，形成Si1-xGex/Si双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si双层薄膜，在所述Si衬底上制备出超晶格，形成包括至少一种所述超晶格的超晶格层组，接着在所述超晶格层组上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层并使所述Si1-yGey层弛豫以形成弛豫Si1-yGey层，由所述超晶格层组和弛豫Si1-yGey层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-yGey层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
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公开(公告)号：CN103165408A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110418819.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层，且y≠x，形成Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，以在所述Si衬底上制备出超晶格，接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
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公开(公告)号：CN102590935B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110003997.2
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底，其中，在锗材料层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬臂梁式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在具有埋氧层、且表层为锗材料层的半导体基底的锗材料层中掺杂以形成n型重掺杂层，然后对锗材料层进行微机械加工形成光子晶体微腔，随后在部分区域进行光刻和刻蚀暴露出部分埋氧层，然后再进行湿法腐蚀，用以去除光子晶体微腔下的埋氧层，同时实现锗悬臂梁的释放。本发明的优点在于：能够通过外力调节悬臂梁上的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并利用光子晶体微腔提高发光效率。
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公开(公告)号：CN102130037B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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