-
公开(公告)号：CN110828626A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810901040.1
申请日：2018-08-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
-
公开(公告)号：CN110797431A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810870394.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/028
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge1-xSnx材料构成，其中，0
-
公开(公告)号：CN218731005U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222184776.6
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L27/144
Abstract: 本实用新型提供一种硅光器件，其包括在SOI衬底的顶层硅上具有不同刻蚀深度的硅基光栅结构、脊形波导和条形波导，然后先对显露的脊形波导两侧进行掺杂，接着通过采用化学机械抛光(CMP)结合湿法刻蚀的方法去除硬掩膜图形，最后通过掺杂工艺制备出调制器和探测器。由于需要通过湿法腐蚀工艺去除的硬掩膜图形的剩余厚度较小，埋氧层上还有二氧化硅层的保护，可避免直接长时间采用湿法刻蚀工艺对光波导器件带来的损伤，因此不会产生埋氧层被侵蚀而产生侧向槽的缺陷，进而有效降低光波导的传输损耗，保证器件的性能。
-
公开(公告)号：CN210607255U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921122280.8
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中并覆盖于所述硅衬底表面，所述介质层中具有种子槽，所述种子槽显露所述硅衬底；单晶硅层，填充于所述种子槽并覆盖于所述介质层表面，所述单晶硅层与所述种子槽底部的硅衬底相接触。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN210375634U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921403148.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成电流；以及加热器，其形成于所述环形谐振腔的预定距离处。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210123485U
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201921035734.8
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209880627U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201921035453.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ-Ⅴ/Si异质结构，包括：硅波导层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有Ⅲ-Ⅴ族材料异质集成窗口，该集成窗口显露所述硅波导层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中并覆盖所述介质层，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶Ⅲ-Ⅴ族材料层；Ⅲ-Ⅴ族材料衬底，键合于所述单晶材料层。本实用新型通过将具有单晶结构的Ⅲ-Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。本实用新型可有效发挥硅材料与Ⅲ-Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ-Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208444041U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201821124540.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供的三维集成光互连芯片，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。本实用新型在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
-
公开(公告)号：CN214845911U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120650362.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN212083723U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020792537.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海功成半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本实用新型硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本实用新型为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.034 seconds)
