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公开(公告)号：CN107892487A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711057732.4
申请日：2017-11-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种低熔点硼硅酸盐玻璃粉，其玻璃粉组成及质量百分比为：SiO2 10~22%、B2O337~45%、ZnO14~22%、Na2CO3 13~20%。本发明还提供了一种基于低熔点硼硅酸盐玻璃粉的远程荧光片，包括一个制备低熔点硼硅酸盐玻璃粉的步骤，一个制备荧光玻璃浆料的步骤，将玻璃粉和荧光粉混合，然后分散在有机物中，均匀混合成荧光玻璃浆料；一个制备荧光玻璃片的步骤，先用刮涂/旋涂/丝网印刷技术将荧光玻璃浆料涂覆在超白玻璃板上，形成一层均匀的荧光玻璃涂层，然后在低温下烧结并冷却，制得该荧光玻璃片。按照本发明方法制备的荧光玻璃片的化学性能和光学性能较好，可以应用于半导体照明和激光照明领域。
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公开(公告)号：CN106784038B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710007098.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/34
Abstract: 本发明一种组分可调的光电薄膜的制备方法，按照摩尔比称取Cu、Sb、Bi对应的化合物以及硫源，将上述的化合物溶解在乙二醇中，经抽滤、洗涤、干燥制成铜锑铋硫前驱体粉末；将前驱体粉末溶解在二甲基甲酰胺、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇组成的混合溶液中制得前驱物溶液，在FTO衬底上旋涂；将获得的产品在200‑500℃退火，得到铜锑铋硫预制薄膜；将预制薄膜在300‑700℃硫化退火获得光电薄膜。
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公开(公告)号：CN107746076A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710985676.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法，先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180-240℃的真空烘箱中加热反应1-5天，最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN107141805A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710389636.3
申请日：2017-05-27
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: C08K3/22 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C08K2003/221 , C08K2003/222 , C08K2003/2255 , C08K2003/2258 , C09K11/7787 , C08L83/04
Abstract: 本发明公开了一种柔性红色荧光薄膜，由粉体和有机物构成，粉体和有机物的质量比为(0.1～0.3)∶1，有机物为聚二甲基硅氧烷。在粉体中，以氧化物的质量百分比计算，0%
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公开(公告)号：CN106957653A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710201720.8
申请日：2017-03-30
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/80
CPC classification number: C09K11/7774
Abstract: 本发明提供了一种增强YAG:Ce荧光粉黄光发射强度的方法，使用Al粉为还原剂，将Al粉与YAG:Ce粉分别盛于坩埚舟中，所述的Al粉与YAG:Ce粉分开放置，还原剂Al粉与YAG:Ce粉的质量比为（0.03～1）∶1，并置于真空管式炉中，在1000℃条件下，进行加热处理6~10 h。通过与5%H2‑95%N2、CO还原法在1000℃还原8 h的YAG:Ce粉的发光强度比较，同为460nm蓝光激发，本方法制备的YAG:Ce荧光粉具有更强的黄光发射强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119899666A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510243838.1
申请日：2025-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/78 , C01F17/32 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发的绿光荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为CaSrLu3.5‑xLa0.5O8：xCe3+，其中0.001≤x≤0.1。本发明荧光粉为宽激发绿色荧光粉，具备物理化学性质稳定的优势，同时，本发明的制备工艺简单，不需要高温高压，利于工业化生产。本发明所述荧光粉完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，发光性能优异，具有应用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等健康照明领域的巨大发展潜力。
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公开(公告)号：CN119286522A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411328270.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/79 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫光高吸收黄色荧光粉及其制备方法与应用，该紫光高吸收黄色荧光粉的化学表达式为(CaSrBa)2‑xSiO4:xEu2+，其中0.01≤x≤0.5。制备过程为：(1)按照计量比，称取含Ca化合物、含Sr化合物、含Ba化合物、含Si化合物和含Eu化合物，研磨混合均匀，放置于坩埚中；(2)将步骤(1)得到的粉末置于空气气氛中煅烧，冷却后得到前驱体；(3)将步骤(2)合成后的前驱体再次研磨均匀，置于还原气氛中烧结，冷却后得到所述的紫光高吸收黄色荧光粉。与现有技术相比，本发明以覆盖更广的发射光谱范围，且制备的黄色荧光粉物理与化学性能稳定，能够与紫光芯片相结合制成无眩光LED。
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公开(公告)号：CN114420785B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111583307.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。
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公开(公告)号：CN118957762A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411011807.5
申请日：2024-07-26
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及分子铁电技术领域，尤其是涉及一种单晶1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电晶体及其制备与应用。本发明首先将PbI2溶液与1,8‑二氨基辛烷混匀，得到混合液；然后将混合液进行水热反应，然后依次洗涤、烘干产物，得到单晶1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电晶体。本发明提供的1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电单晶结构明确，PbI6八面体层与(C8N2H22)2+阳离子层无限交错形成二维层状结构，性质稳定，具有独特的单晶图谱信息，在光电探测器、数据存储、光电子器件、铁电光伏等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118932495A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411011875.1
申请日：2024-07-26
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及分子铁电技术领域，尤其是涉及一种单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体及其制备与应用。本发明首先将PbBr2溶液与1,4‑二氨基丁烷均匀，得到混合液；然后将混合液进行水热反应，反应结束后依次洗涤、烘干产物得到单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体。本发明的单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体性质稳定，具有独特的单晶图谱信息，不仅可以提高载流子迁移率，同时也可以赋予单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体独特的光学、电学和光电特性，以达到优异性能的目的。
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