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公开(公告)号：CN109568581A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811622083.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅包覆硫化亚铜纳米晶核壳结构及其制备方法。所述的二氧化硅包覆硫化亚铜纳米晶核壳结构，其特征在于，包括：硫化亚铜纳米晶形成的核层和二氧化硅形成的壳层，二氧化硅包覆在硫化亚铜纳米晶外侧。本发明方法所采用原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定，分散性好，包覆后的硫化亚铜具有较高的光热转化效率，可作为热疗材料。
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公开(公告)号：CN107803209A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710984971.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B01J27/051 , B82Y30/00
CPC classification number: B01J27/051 , B01J35/004 , B01J37/0215 , B01J37/0228 , B01J37/08 , B82Y30/00
Abstract: 一种单层MoS2/TiO2纳米异质结的制备方法，将Si/SiO2基底先超声清洗，然后吹干；将装有三氧化钼的石墨舟放置在化学气相沉积装置的高温区加热，Si/SiO2基底放置在石墨舟上，抽真空；在封闭的石英管中通入保护气体后排空，加热管式炉，升温至700-800℃，保温5-20分钟，关闭加热，冷却至室温，获得片状单层MoS2；将钛酸四丁酯溶于无水乙醇中，再加入乙酰丙酮，在室温下搅拌得二氧化钛溶胶；将片状单层MoS2依次浸入二氧化钛溶胶、无水乙醇和去离子水中，然后用无水乙醇冲洗，除去表面粘附的水，然后置于500～550℃的马弗炉中退火1～2h，即得到单层MoS2/TiO2纳米异质结结构。
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公开(公告)号：CN106830056A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710007439.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/22
Abstract: 本发明公开了一种采用水热法制备SnS2六角纳米片的方法，首先依次将反应物前驱体含硫化合物、可溶性锡盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到真空烘箱中，180‑240 ℃反应12小时‑10天，自然冷却至室温；最后洗涤分离沉淀，即得SnS2六角纳米片。本发明操作简单，无设备要求；所使用的各种溶剂均对环境友好，无高毒性物质产生，成本低廉，适合商业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784038A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710007098.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/34
CPC classification number: H01L31/02167 , C03C17/347
Abstract: 本发明一种组分可调的光电薄膜的制备方法，按照摩尔比称取Cu、Sb、Bi对应的化合物以及硫源，将上述的化合物溶解在乙二醇中，经抽滤、洗涤、干燥制成铜锑铋硫前驱体粉末；将前驱体粉末溶解在二甲基甲酰胺、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇组成的混合溶液中制得前驱物溶液，在FTO衬底上旋涂；将获得的产品在200‑500℃退火，得到铜锑铋硫预制薄膜；将预制薄膜在300‑700 ℃硫化退火获得光电薄膜。
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公开(公告)号：CN107899591A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710983849.9
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: B01J27/04 , A01N59/16 , B01D53/86 , B01J21/063 , B01J35/0006 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/0073
Abstract: 本发明提供了一种光触媒杀菌空气清洁剂，包括SnS2纳米片和TiO2纳米颗粒；TiO2纳米颗粒复合在SnS2纳米片的表面；TiO2纳米颗粒在SnS2纳米片的表面呈点状密集分布。本发明还提供了上述光触媒杀菌空气清洁剂的制备方法，称量SnS2粉末，置于N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌后，在冰水浴中超声剥离，然后将得到的溶液进行离心处理，取上层清液即为单层SnS2纳米片溶液；向单层SnS2纳米片溶液中加入TiCl3，然后加入乙醇，将该溶液移入高压反应釜中加热，最后离心分离，得到光触媒杀菌空气清洁剂。采用本发明的方法得到的光触媒杀菌空气清洁剂形貌良好，具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN106784038B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710007098.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/34
Abstract: 本发明一种组分可调的光电薄膜的制备方法，按照摩尔比称取Cu、Sb、Bi对应的化合物以及硫源，将上述的化合物溶解在乙二醇中，经抽滤、洗涤、干燥制成铜锑铋硫前驱体粉末；将前驱体粉末溶解在二甲基甲酰胺、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇组成的混合溶液中制得前驱物溶液，在FTO衬底上旋涂；将获得的产品在200‑500℃退火，得到铜锑铋硫预制薄膜；将预制薄膜在300‑700℃硫化退火获得光电薄膜。
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公开(公告)号：CN107746076A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710985676.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法，先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180-240℃的真空烘箱中加热反应1-5天，最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN106744726A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710007352.3
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: C01B19/002 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种具有层状结构BiOCuSe纳米片的制备方法，首先依次将反应物前驱体含硒化合物、氧化铜或可溶性铜盐、氧化铋或可溶性铋盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240 ℃的真空烘箱中反应1‑5天，最后离心、干燥即得BiOCuSe纳米片。本发明的方法操作简单，制备容易，元素化学计量比控制精确，所用前驱体材料成本低廉、无毒性。
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