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公开(公告)号:CN107601551A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710983846.5
申请日:2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法,先将氧化亚铜和硫粉分别放置在化学气相沉积装置的高温区和低温区位置,将SiO2/Si基底叠放平放在铜源上方,封闭石英管中的两端;在石英管中通入保护气体5-10分钟进行排空,打开管式炉加热开关,同时将低温区升温至300℃,高温区升温至700-800℃,保温10-20分钟,关闭加热,冷却至室温,即可在SiO2/Si基底上获得尺寸均一的Cu2S纳米线。本发明制备的棒球棒状Cu2S纳米线具有多级结构,Cu2S棒球棒状由一球状和较长锥柱状的Cu2S纳米线组成,制备出的纳米线形貌均匀,可以应用于光电探测器、锂离子电池和光催化材料等领域。
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公开(公告)号:CN107601551B
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201710983846.5
申请日:2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积法制备棒球棒状硫化亚铜纳米线的方法,先将氧化亚铜和硫粉分别放置在化学气相沉积装置的高温区和低温区位置,将SiO2/Si基底叠放平放在铜源上方,封闭石英管中的两端;在石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空,打开管式炉加热开关,同时将低温区升温至300℃,高温区升温至700‑800℃,保温10‑20分钟,关闭加热,冷却至室温,即可在SiO2/Si基底上获得尺寸均一的Cu2S纳米线。本发明制备的棒球棒状Cu2S纳米线具有多级结构,Cu2S棒球棒状由一球状和较长锥柱状的Cu2S纳米线组成,制备出的纳米线形貌均匀,可以应用于光电探测器、锂离子电池和光催化材料等领域。
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公开(公告)号:CN107746076B
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201710985676.4
申请日:2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天,最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛,使用过程中对环境无污染,制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号:CN106995698A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201710202316.2
申请日:2017-03-30
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/59
CPC classification number: C09K11/7734
Abstract: 本发明提供了一种发射增强的荧光粉的制备方法,使用金属单质粉末为还原剂,金属单质粉末为Al,Ti或Mg,将Ca2SiO4:Eu前驱体盛放于第一石英玻璃管中,还原剂与Ca2SiO4:Eu粉的质量比为(0.05~1)∶1,然后将第一石英玻璃管放于底部盛有金属单质粉末的第二石英玻璃管中,使用氢氧焰密封机将第二石英玻璃管抽真空后密封,并置于马弗炉中,在600‑1000℃条件下,进行加热处理6~10h,即得发射增强的Ca2SiO4:Eu荧光粉。本发明制备的Ca2SiO4:Eu粉是CO还原剂制备Ca2SiO4:Eu粉发射强度的2.8倍。
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公开(公告)号:CN107899591A
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201710983849.9
申请日:2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: B01J27/04 , A01N59/16 , B01D53/86 , B01J21/063 , B01J35/0006 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/0073
Abstract: 本发明提供了一种光触媒杀菌空气清洁剂,包括SnS2纳米片和TiO2纳米颗粒;TiO2纳米颗粒复合在SnS2纳米片的表面;TiO2纳米颗粒在SnS2纳米片的表面呈点状密集分布。本发明还提供了上述光触媒杀菌空气清洁剂的制备方法,称量SnS2粉末,置于N,N-二甲基甲酰胺溶剂中,搅拌后,在冰水浴中超声剥离,然后将得到的溶液进行离心处理,取上层清液即为单层SnS2纳米片溶液;向单层SnS2纳米片溶液中加入TiCl3,然后加入乙醇,将该溶液移入高压反应釜中加热,最后离心分离,得到光触媒杀菌空气清洁剂。采用本发明的方法得到的光触媒杀菌空气清洁剂形貌良好,具有操作简单,产量高,制备成本低等优点。
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公开(公告)号:CN106784038B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710007098.7
申请日:2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/34
Abstract: 本发明一种组分可调的光电薄膜的制备方法,按照摩尔比称取Cu、Sb、Bi对应的化合物以及硫源,将上述的化合物溶解在乙二醇中,经抽滤、洗涤、干燥制成铜锑铋硫前驱体粉末;将前驱体粉末溶解在二甲基甲酰胺、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇组成的混合溶液中制得前驱物溶液,在FTO衬底上旋涂;将获得的产品在200‑500℃退火,得到铜锑铋硫预制薄膜;将预制薄膜在300‑700℃硫化退火获得光电薄膜。
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公开(公告)号:CN107746076A
公开(公告)日:2018-03-02
申请号:CN201710985676.4
申请日:2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180-240℃的真空烘箱中加热反应1-5天,最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛,使用过程中对环境无污染,制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号:CN106957653A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201710201720.8
申请日:2017-03-30
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/80
CPC classification number: C09K11/7774
Abstract: 本发明提供了一种增强YAG:Ce荧光粉黄光发射强度的方法,使用Al粉为还原剂,将Al粉与YAG:Ce粉分别盛于坩埚舟中,所述的Al粉与YAG:Ce粉分开放置,还原剂Al粉与YAG:Ce粉的质量比为(0.03~1)∶1,并置于真空管式炉中,在1000℃条件下,进行加热处理6~10 h。通过与5%H2‑95%N2、CO还原法在1000℃还原8 h的YAG:Ce粉的发光强度比较,同为460nm蓝光激发,本方法制备的YAG:Ce荧光粉具有更强的黄光发射强度。
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