公开(公告)号：CN114420785A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111583307.5

申请日：2021-12-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张刚华 ,  杜维 ,  房永征 ,  侯京山

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。

公开(公告)号：CN112694263A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202110176863.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张刚华 ,  杜维 ,  房永征 ,  侯京山

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/42

Abstract: 本发明公开了一种分子铁电体复合CsPbBr3光电薄膜材料、制备方法和应用。所述光电薄膜材料的结构从下到上依次包括透明导电衬底、电子传输层、分子铁电体复合CsPbBr3薄膜和空穴传输层；所述制备方法为：首先在透明导电衬底上制备电子传输层；其次以分子铁电体和CsPbBr3为溶质，DMSO为溶剂，配制溶液，旋涂于电子传输层上，经真空退火处理后形成分子铁电体复合CsPb Br3薄膜；最后再旋涂PEDOT:PSS，经真空退火处理后得到分子铁电体复合CsP bBr3光电薄膜材料。本发明的光电薄膜材料的光电性能大幅度提升，可广泛应用于光电探测器和半导体发光二极管中，具有高经济价值。

公开(公告)号：CN114420785B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202111583307.5

申请日：2021-12-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张刚华 ,  杜维 ,  房永征 ,  侯京山

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。