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公开(公告)号：CN117116988A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310443635.8
申请日：2023-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种包括铁电场效应晶体管(FeFET)的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；包括金属元素的栅电极膜，在基底上；包括铁电材料的栅极绝缘膜，在基底与栅电极膜之间；以及包括半导体材料的氧化物的缓冲氧化物膜，在栅极绝缘膜与栅电极膜之间，缓冲氧化物膜与栅极绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN117062442A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310461601.1
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：导电层，所述导电层位于衬底上；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层位于所述导电层上；堆叠结构，所述堆叠结构位于所述绝缘隔离层上，并且包括沿着与所述衬底的上表面垂直的第一方向交替地设置的多个源极/漏极接触层和多个栅电极层；垂直沟道层，所述垂直沟道层延伸穿过所述堆叠结构和所述绝缘隔离层，其中，所述垂直沟道层与所述多个源极/漏极接触层中的每一者接触，并且连接到所述导电层；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述多个栅电极层中的每一者与所述垂直沟道层之间。
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公开(公告)号：CN116825851A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310013153.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H10B12/00
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。
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公开(公告)号：CN116744672A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211569365.7
申请日：2022-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。
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公开(公告)号：CN109119115B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201810461051.2
申请日：2018-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括第一开关单元、第二开关单元和多个存储单元，所述多个存储单元设置在所述第一开关单元和所述第二开关单元之间并连接到多个字线；和控制电路，被配置为通过将编程电压提供给所述多个字线之中的第一字线，将开关电压提供给所述多个字线之中的第二字线以及将通过电压提供给所述多个字线之中的剩余字线来执行编程操作。其中所述控制电路被配置为在所述编程操作的第一部分中关断所述第一开关单元和所述第二开关单元，并且被配置为在比第一部分稍后的编程操作的第二部分中导通所述第一开关单元并增加所述开关电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116096093A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210876878.6
申请日：2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：基底；第一杂质区和第二杂质区，位于基底上；第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，顺序地堆叠在基底上，并且在第一杂质区与第二杂质区之间在一方向上延伸；以及栅电极，位于第二栅极绝缘层上。第一杂质区和第二杂质区可以具有彼此不同的导电类型，第一栅极绝缘层的底表面可以与基底的顶表面直接接触，并且第二栅极绝缘层可以包括铁电材料。
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公开(公告)号：CN115884592A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211188493.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个栅电极，在基板上在第一水平方向上延伸并且每个包括彼此相对的第一垂直延伸侧壁和第二垂直延伸侧壁；沟道层，布置在每个栅电极的第一垂直延伸侧壁上并包括垂直延伸部分；铁电层和栅极绝缘层，依次位于沟道层和每个栅电极的第一垂直延伸侧壁之间使得铁电层在栅极绝缘层和栅电极之间；绝缘层，在每个栅电极的第二垂直延伸侧壁上；以及多条位线，电连接到沟道层并在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN115799298A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210515049.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：沟道；栅极结构，位于沟道上；第一源/漏极，布置在沟道的第一端处并包括金属；第一可调带隙层，布置在沟道与第一源/漏极之间，并且具有根据应力而变化的带隙；第一电致伸缩层，位于栅极结构与第一可调带隙层之间，第一电致伸缩层具有基于电场的施加而变形且在被施加电场时变形的性质；以及第二源/漏极，位于沟道的第二端处。
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公开(公告)号：CN114725065A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111203504.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体存储装置。所述半导体存储装置可以包括具有数据存储器件的数据存储层、设置在所述数据存储层上的互连层以及设置在所述数据存储层和所述互连层之间的选择元件层。所述互连层可以包括在第一方向上延伸的位线。所述选择元件层可以包括单元晶体管，所述单元晶体管连接在所述数据存储器件之一和所述位线之一之间，并且所述单元晶体管可以包括有源图案和字线，所述字线与所述有源图案交叉并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
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