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公开(公告)号：CN116508132A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079636.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。
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公开(公告)号：CN116472141A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202280007577.8
申请日：2022-10-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B24B37/10
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的研磨工序中以去掉激光标记周边部的隆起作为目的而提供平坦的研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物，是用于消除在采用包含二氧化硅粒子、水和碱性化合物的硅晶片的1次研磨用组合物研磨后残存的激光标记的后研磨用组合物，该后研磨用组合物包含二氧化硅粒子、水、四烷基铵离子和水溶性高分子，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.200～1.000：1的质量比包含四烷基铵离子，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.100～1.500：1的质量比包含溶解于该研磨用组合物的SiO2，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.005～0.05：1的质量比包含水溶性高分子。二氧化硅粒子具有1nm～100nm的平均一次粒径。
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公开(公告)号：CN116391001A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180074682.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J4/00
Abstract: 一种固化性组合物，其含有下述(A)成分和(B)成分。(A)成分：包含下述式[1]所示的化合物的单官能自由基聚合性化合物，(B)成分：自由基引发剂。X1‑X2‑X3‑X4[1](式[1]中，X1表示选自下述式[1－a]～式[1－g]中的结构。X2表示碳原子数2～14的直链状的亚烷基。其中，亚烷基任选地进行特定的取代。X3表示－O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－CONH－、－NHCO－或－NH－。X4表示碳原子数12～40的直链或支链状的烷基。)(TA表示氢原子或苯环。＊表示键合键。)
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公开(公告)号：CN116323702A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066988.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F120/10
Abstract: 根据一种单层相位差材料的制造方法，能够制作相位差值及双折射高的单层相位差材料，所述单层相位差材料的制造方法包含以下工序：(I)将聚合物组合物涂布于基板上并干燥，形成涂膜；以及(II)对所述涂膜照射偏振光紫外线，所述聚合物组合物包含在侧链具有以波长365nm的光进行光二聚化或光异构化的光反应性部位的聚合物，偏振光紫外线中的波长313nm的光在波长365nm的光与波长313nm的光的合计量中所占的量为10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116249729A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067677.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含末端被化合物(A)封闭的聚合物及有机溶剂，所述聚合物为由下述式(11)(式(11)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)表示的化合物(B)衍生的聚合物。
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公开(公告)号：CN116235112A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180066096.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 在半导体装置制造的光刻工艺中，在使用抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成抗蚀剂下层膜时，在烧成时产生来源于上述聚合物树脂、交联剂、交联催化剂等低分子化合物的升华成分(升华物)成为问题。本发明的解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物用交联催化剂使用具有氟烷基的有机酸或具有氟烷基的有机酸盐，从而包含该交联催化剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物可以有效地抑制成膜时的来源于抗蚀剂下层膜中的低分子成分的升华物。
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公开(公告)号：CN108885997B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780013335.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。
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公开(公告)号：CN111936922B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201980023076.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10
Abstract: 包含由二胺成分得到的聚合物和有机溶剂，所述二胺成分包含下述式[I]所示的至少1种第1二胺、以及具有选自下述式[S1]～[S3]所示的组中的侧链结构的至少1种第2二胺。(式[I]中，Z1表示S原子或O原子，*表示与其它基团键合的部位。此外，苯环的任意氢原子任选被一价有机基团取代。)(式[S1]中，X1和X2各自独立地表示单键、‑(CH2)a‑(a为1～15的整数)、‑CONH‑、‑NHCO‑、‑COs‑NH‑、‑O‑、‑COO‑、‑OCO‑或‑((CH2)a1‑A1)m1‑。其中，多个a1各自独立地为1～15的整数，多个A1各自独立地表示氧原子或‑COO‑，m1为1～2。G1和G2各自独立地表示选自碳原子数6～12的二价芳香族基团或碳原子数3～8的二价脂环式基团中的二价环状基团。前述环状基团上的任意氢原子任选被选自由碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的含氟烷基、碳原子数1～3的含氟烷氧基或氟原子组成的组中的至少1种取代。m和n各自独立地为0～3的整数，m和n的合计为1～4。R1表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基或碳原子数2～20的烷氧基烷基，形成R1的任意氢任选被氟取代。)(式[S2]中，X3表示单键、‑CONH‑、‑NHCO‑、‑CON(CH3)‑、‑NH‑、‑O‑、‑CH2O‑、‑COO‑或‑OCO‑。R2表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数2～20的烷氧基烷基，形成R2的任意氢任选被氟取代。)(式[S3]中，X4表示‑CONH‑、‑NHCO‑、‑O‑、‑COO‑或‑OCO‑。R3表示具有类固醇骨架的结构。)
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公开(公告)号：CN116157473A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180059938.9
申请日：2021-07-21
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 牧岛知佳
IPC: C09D11/30
Abstract: 制造方法，是具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、和该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，该方法包括：用喷墨法在隔壁内涂布包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨的工序；和通过减压从涂布于隔壁内的有机功能墨除去溶剂而形成有机功能膜的工序；低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，在150℃下加热低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa时，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，上述溶剂中低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上。由此，可抑制因墨涂布时刻的不同引起的有机功能层的形状的偏差，可制造具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板。
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