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公开(公告)号：CN112623425A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011048227.5
申请日：2020-09-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及捆包体和缓冲件。捆包体具备：收纳部，其用于收纳被收纳物；及缓冲部，其用于减小在被收纳物与收纳部之间产生的间隙。收纳部具有底部和与底部相对的盖部，缓冲部具有：基体部分，其用于沿着从底部朝向盖部的装载方向与被收纳物相对；第一折痕；以及间隔调整部分，其介有第一折痕而连接于基体部分。第一折痕为了将间隔调整部分相对于基体部分弯曲而设置，间隔调整部分包含：调整区域，其用于沿着装载方向延伸；多个第二折痕；及抵接区域，其介有多个第二折痕的一个而连接于调整区域。多个第二折痕的一个为了将抵接区域相对于调整区域弯曲而设置。
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公开(公告)号：CN103288449A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310063259.6
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C04B35/495 , C04B35/6263 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/76 , C04B2235/78 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-D2O5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物和M的氧化物。A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，D是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞0的关系，M是选自Al、Si、B以及Li中的至少一个。优选进一步具有Mg的氧化物。
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公开(公告)号：CN1870190A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610089845.8
申请日：2006-05-24
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 小岛达也
CPC classification number: H01G4/01 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供叠层陶瓷电容器及其制造方法。陶瓷基体是由长度方向、宽度方向和厚度方向定义的形状。多个内部电极，在陶瓷基体的内部沿厚度方向隔开间隔叠层，在上述陶瓷基体的从长度方向看的两端部上交替地引出。上述陶瓷基体，在厚度方向上相对置的两个面之中的一个面是平面状，从一个面到最外侧内部电极的距离，从长度方向看的端部上的值Db大于从长度方向看的中央部的值Da，比值Db/Da为2.1以下。
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公开(公告)号：CN1941233B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610146375.4
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种具有电介质层和内部电极层的叠层型陶瓷电子部件的制造方法，其中作为用于形成内部电极层的导体糊剂包含至少由导体粒子和陶瓷粉末构成的第1共材料，和由陶瓷粉末构成的、具有比上述第1共材料大的平均粒径的第2共材料；通过使用上述第1共材料的平均粒径是上述导体粒子的平均粒径的1/20～1/2的尺寸，上述第2共材料的平均粒径是烧结后的上述内部电极层的平均厚度的1/10～1/2的尺寸的导体糊剂的叠层型陶瓷电子部件的制造方法，本发明提供一种能够有效抑制裂纹的产生、降低短路不良率及耐压不良率并且具有高静电容量的叠层型陶瓷电容器等叠层型陶瓷电子部件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1909125A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108209.5
申请日：2006-08-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠电子部件，其具有：含有内层部分及在其上下设置的一对外层部分的陶瓷基体、和设置在所述陶瓷基体左右的一对外部电极。在所述内层部分埋设有与所述外部电极交互连接的多个内部电极。在至少一个所述外层部分埋设有分别与所述外部电极连接的2层或更多层的伪电极。最内侧的所述伪电极被设置为与最外侧的所述内部电极同极性。所述伪电极含有作为不同极性相邻的至少一对。
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公开(公告)号：CN1728302A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510092228.9
申请日：2005-06-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/30 , H05K1/092
Abstract: 本发明涉及一种导电性糊剂，其特征在于该导电性糊剂是用于形成叠层陶瓷电子部件的内部电极的导电性糊剂，其与厚度为5μm以下的含缩丁醛树脂的陶瓷生片组合使用，并含有导电性粉末及有机载体，上述有机载体中的溶剂以乙酸萜品酯为主要成分。通过本发明可以提供用于形成叠层陶瓷电子部件的内部电极、粘度随时间变化小、且不产生片侵蚀的导电性糊剂。
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公开(公告)号：CN103288449B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310063259.6
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C04B35/495 , C04B35/6263 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/76 , C04B2235/78 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-D2O5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物和M的氧化物。A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，D是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞0的关系，M是选自Al、Si、B以及Li中的至少一个。优选进一步具有Mg的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288448B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310063175.2
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/76 , C04B2235/79 , C04B2235/9615 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中，A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。该介电体陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288452A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310064017.9
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , H01G4/12 , H01G7/02
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/76 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的电介质陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1；y＜1.000的关系。该电介质陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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