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公开(公告)号：CN103288449A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310063259.6
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C04B35/495 , C04B35/6263 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/76 , C04B2235/78 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-D2O5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物和M的氧化物。A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，D是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞0的关系，M是选自Al、Si、B以及Li中的至少一个。优选进一步具有Mg的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288452B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310064017.9
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G7/02 , C04B35/50 , C04B35/505
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/76 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的电介质陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1；y＜1.000的关系。该电介质陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136310A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110028431.5
申请日：2011-01-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/008 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , H01B1/22 , H01G4/12
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制电子零件的结构缺陷的导电膏和具有该导电膏形成的内部电极层的电子零件的制造方法。所述导电膏，其特征在于，包含金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂，所述第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的烧结开始温度比所述金属颗粒的烧结开始温度高，所述第1抑制剂的平均粒径a、第2抑制剂的平均粒径b、第3抑制剂的平均粒径c满足规定的关系式。
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公开(公告)号：CN103288449B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310063259.6
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C04B35/495 , C04B35/6263 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/76 , C04B2235/78 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-D2O5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物和M的氧化物。A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，D是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞0的关系，M是选自Al、Si、B以及Li中的至少一个。优选进一步具有Mg的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288448B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310063175.2
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/76 , C04B2235/79 , C04B2235/9615 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中，A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。该介电体陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288452A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310064017.9
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , H01G4/12 , H01G7/02
CPC classification number: C04B35/50 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/76 , C04B2235/9615 , H01G4/1209 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的电介质陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1；y＜1.000的关系。该电介质陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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公开(公告)号：CN103288448A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310063175.2
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/76 , C04B2235/79 , C04B2235/9615 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中，A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。该介电体陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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