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公开(公告)号：CN119180297A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411263622.3
申请日：2024-09-10
Abstract: 本发明涉及计算机科学与人工智能领域，具体涉及一种高鲁棒性元启发式优化方法，所述方法包括：首先，设计一种混沌逆向学习策略并应用于种群初始化，其次，设计行为过渡系数在全局探索与局部开发阶段之间灵活切换，并在各自阶段分别采用六种不同的搜索策略以寻找候选最优解位置，最后，当满足预设终止标准时，输出迄今为止发现的最优解。本发明将混沌理论与逆向学习策略相结合，解决传统元启发式优化方法使用伪随机数初始化种群所导致个体位置分布不均匀的缺陷，通过局部均值开发和协作，加快了最优解的获取速度，同时，利用行为过渡系数实现全局搜索与局部开发之间的动态平衡，显著提升了算法在处理复杂优化任务时的资源使用效率和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN118690777A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410778654.0
申请日：2024-06-17
IPC: G06N3/006 , G06N3/0499
Abstract: 本发明涉及计算机科学与人工智能领域，具体涉及一种鹦鹉优化方法，所述方法包括：首先，初始化参数后随机生成初始解的位置；其次，开始搜索最优解的位置并随机采用四种不同的搜索策略；最后，设定警戒搜索机制来动态调整后续解的更新位置；若当前迭代次数小于最大迭代次数，优化器将继续搜索最优解所在位置，直至达到预设的终止标准时，输出迄今为止最优解的所在位置。本发明偏离了传统优化方法的探索‑利用两阶段结构，通过对目标随机状态的有效探索和利用，增强了种群多样性，在不降低收敛速度的前提下，具备更强的全局搜索与局部开发能力，因此，在处理复杂优化问题时，本发明能更加准确、高效地获得最优解决方案。
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公开(公告)号：CN115265412A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210959645.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/255
Abstract: 本发明为一种米级光学球面曲率半径的测试方法及装置，其克服了现有技术中存在的调整复杂，需要空间大，对环境要求高，不能同时测试多个元件的问题。本发明通过对采集图像的清晰度分析获得待测光学球面的曲率半径。首先对采集到的图像进行分析获得图像清晰度参数，分析离焦量；然后微调光学镜头到光敏面间的距离，再一次采集图像并分析图像清晰度参数，进一步确定光学镜头处于过焦还是欠焦状态，即确定光学球面的曲率半径相对于标准球面曲率半径是偏大还是偏小，通过清晰度参数数值及变化情况，最终确定光学球面曲率半径。测试装置包括特征目标物形成装置、光学镜头、相机、支架和上位机，特征目标形状装置与相机位于待测光学球面的同一侧。
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公开(公告)号：CN114858090A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210451951.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学测量技术领域，具体涉及一种阵列结构光学元件的面形误差测量方法。用于解决阵列结构光学元件面形的测量和评价问题。本发明采用方法步骤为：1）利用三维表面形貌检测装置对阵列结构光学元件进行检测，获得阵列结构光学元件表面形貌点云数据；2)将测量得到的阵列结构光学元件表面形貌点云数据通过六维自由度的平移旋转，使之与理论设计形状最佳匹配；3）采用最邻近插值算法，使匹配后的测量数据与理论数据的横向坐标完全匹配，然后对纵向坐标进行点对点相减，使之与理论设计形状最佳匹配，即可获得该被测阵列光学元件的面形误差。
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公开(公告)号：CN114460142A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210111533.1
申请日：2022-01-29
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于氢安全利用与氢气检测技术领域，具体涉及一种氢气探测器及其制备方法。为解决现有技术探测范围小的问题。本发明有一个持续的直流电压以固定频率信号，不间断的输给一级惠更斯电桥，当没有氢气泄漏时，氢敏元件的电阻不发生变化，那么比较器两端的信号是等电位，并没有电压信号输给二级惠更斯电桥，所以数码二极管不会有显示。有氢气泄漏时，氢敏元件在与氢气反应时，使得氢敏元件的电阻变低，当氢敏元件的电阻变化没有达到设定值时，比较器无法输出高电平信号，但是平衡电桥有高电频信号输出，可以驱动蜂鸣器报警。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110950660B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910939492.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: C04B35/497 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法。现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN‑PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN‑PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN‑PT前驱体溶液在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上旋涂均匀，薄膜退火结晶得到掺杂稀土元素PMN‑PT薄膜。本发明通过稀土元素掺杂，显著提高驰豫铁电PMN‑PT薄膜介电和热释电性能。
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公开(公告)号：CN109887943B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910162591.5
申请日：2019-03-05
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。
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公开(公告)号：CN110010431B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910275811.5
申请日：2019-04-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01J9/00
Abstract: 一种具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法，包括以下步骤：对微通道板基体进行预处理；在微通道板基体的上端面用原子层沉积法制备防离子反馈膜；从微通道板基体的下端面采用刻蚀工艺制备微通道孔；在微通道孔的内壁上依次制备绝缘层、导电层和二次电子发射层；去除刻蚀所用掩蔽层，得到具有防离子反馈膜的微通道板；本发明在微通道板基体的上端面上沉积制备防离子反馈膜，在下端面刻蚀微通道孔，在微通道孔刻蚀贯穿前制备防离子反馈膜，所制备的防离子反馈膜厚度在原子层尺度精确控制，可实现防离子反馈膜对电子的透射性能和对阳离子的阻隔性能的良好匹配；本发明方法可以避免微通道板受到污染，并且其端面的防离子反馈膜质量高，整体工艺简单，成品率高。
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公开(公告)号：CN104946879B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201510262261.5
申请日：2015-05-21
Applicant: 西安工业大学
IPC: C21D10/00
Abstract: 本发明涉及一种控制铁电晶体电畴的方法和装置，本发明的方法依次包括以下步骤：一.将铁电晶体温度升至相变温度以上200至1000摄氏度之间，保温时间10~20分钟；二.沿垂直于电极方向施加强度大于两倍矫顽场的电压，同时将电流控制在1至3毫安，保持10~20分钟；三.以小于2摄氏度/分钟的速率降温，同时调整外置电场强度，使其一直处于两倍矫顽场以上，最后降温至室温；本发明的装置，包括高精度温控炉、高精密线性电流电压源、系统保护电路和设置于高精度温控炉中的夹具模块。本发明避免了畴工程化铁电晶体内部微裂纹问题，通过精确控制减小电畴尺寸，可使其温度稳定性得到提高，最终有效提高了铁电晶体压电效应。
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公开(公告)号：CN110388855A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910649782.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明具体公开了一种弹跳高度的测试方法与装置，以克服现有测试方法标定时间冗长繁琐，成本高昂的问题。具体技术方案为：首先运用光电成像系统实时采集目标弹跳过程图像，通过对采集到的序列线形图像进行处理与分析，得到目标弹跳轨迹，获得目标在不同采集时刻的像素坐标值，判断目标弹跳特征时刻，计算出目标经过两个特征点之间的时间，最后依据运动方程，计算出目标的弹跳高度。测试装置包括上位机、相机、光学成像组件、调节机构和支架，所述上位机与相机相接，相机的线形光敏面处于铅垂方向；所述光学成像组件像面处于相机光敏面位置；相机和光学成像组件设置在调节机构上。本发明系统结构简单，布站快捷，操作方便，适用范围广。
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