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公开(公告)号：CN1258094A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99124388.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN100481326C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN02105475.4
申请日：2002-04-05
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , Y10S438/94 , Y10S438/977
Abstract: 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1302519C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03127864.7
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN1874022A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1147921C
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN99124388.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN101471246B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810170558.9
申请日：2002-04-05
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , Y10S438/94 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN101471246A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810170558.9
申请日：2002-04-05
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , Y10S438/94 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100438109C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1501444A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03127864.7
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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