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公开(公告)号：CN103248841A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049792.7
申请日：2013-02-07
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H04N5/3597 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/355 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种驱动固态成像装置的方法，其包括：在断开所述选择部分的同时开始为光电换能器累积信号电荷的快门操作中，在第一定时，通过接通转移部分和接通复位部分，从光电换能器中放电信号电荷；在接在第一定时之后的第二定时，通过接通转移部分和断开复位部分，使浮置扩散部分升压；以及在转移部分接通的状态下，由外围电路部分取入输出到输出信号线的电信号，并从取入信号中生成像素信号。
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公开(公告)号：CN114695413A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210249329.6
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745 , G02B7/34
Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107408568B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201780001074.9
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , G02B7/34 , G03B30/00 , H04N5/369
Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107408568A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201780001074.9
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , G02B7/34 , H01L21/76 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/1463 , G02B7/34 , H01L21/76 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/359 , H04N5/374 , H04N5/37457
Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN103378120A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310168084.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件及包括该固体摄像器件的摄像装置。该固体摄像器件包括：光电转换元件，其形成在半导体基板中；第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；以及第一存储部，其靠近于所述第一隐埋栅极电极形成，其中，所述第一存储部形成为埋入在所述半导体基板中。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034839B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010291951.0
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、包括该固体摄像器件的摄像装置及固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括：半导体基板以及多个像素电路，多个像素电路中的每一个包括：光电转换元件；靠近光电转换元件形成的第一隐埋栅极电极；远离光电转换元件和第一隐埋栅极电极中每一个形成的第二隐埋栅极电极；形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间的第一扩散层；以及远离所述第一扩散层形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间、与第一扩散层重叠的第二扩散层，其中累积在光电转换元件中的电荷通过第一扩散层传输到第二扩散层。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
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公开(公告)号：CN103378120B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310168084.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件及包括该固体摄像器件的摄像装置。该固体摄像器件包括：光电转换元件，其形成在半导体基板中；第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；以及第一扩散层，其靠近于所述第一隐埋栅极电极形成，其中，所述第一扩散层形成为埋入在所述半导体基板中。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
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公开(公告)号：CN105324986A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035386.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H04N5/374 , H04N5/35563 , H04N5/378
Abstract: 本公开涉及一种固态图像拾取元件和电子设备，所述固态图像拾取元件能够生成高精度的具有大的动态范围的图像拾取信号。其中，像素包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素。控制栅控制所述低感度像素中的光电转换元件的电位。本公开例如可以适用于包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素并控制所述低感度像素中的光电转换元件的电位的CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN114695412A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210248439.0
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745 , G02B7/34
Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN114695411A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210247336.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745 , G02B7/34
Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。
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