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公开(公告)号：CN113542633B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110677247.7
申请日：2017-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N25/40 , H04N25/76 , H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明涉及成像装置和成像设备。其中，成像装置可包括：第一像素，所述第一像素包括：第一光电转换区；第一电荷保持区，所述第一电荷保持区经由第一转移晶体管连接到所述第一光电转换区；第一切换晶体管，所述第一切换晶体管配置为将所述第一电荷保持区连接到第二电荷保持区；和复位晶体管，所述复位晶体管连接到所述第一电荷保持区；第二像素，所述第二像素包括：第二光电转换区；和第三电荷保持区，所述第三电荷保持区经由第二转移晶体管连接到所述第二光电转换区；以及像素连接电路，所述像素连接电路连接到所述第二电荷保持区和所述第三电荷保持区。
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公开(公告)号：CN109155831A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030726.1
申请日：2017-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明能够在防止像素面积增加的同时切换像素的转换效率。本发明的固体摄像装置包括多个像素、像素连接部和像素复位部。所述多个像素各自包括：光电转换部，其产生与照射光对应的电荷；电荷保持部，其保持所产生的电荷；以及信号生成部，其生成与所保持的电荷对应的信号以作为图像信号。所述像素连接部在所述多个像素的各个所述电荷保持部之间导通，由此允许由所述多个像素中的一个像素的所述光电转换部产生的电荷被所述多个像素的每一个所述电荷保持部保持。当所述像素连接部在所述多个像素的各个所述电荷保持部之间导通时，所述像素复位部排出并复位所述多个像素的各个所述电荷保持部的电荷。
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公开(公告)号：CN102572311A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110399442.4
申请日：2011-12-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14656 , H04N5/357 , H04N5/363 , H04N5/37452
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、用于固体摄像器件的驱动方法以及电子装置。所述固体摄像器件包括：像素阵列部，所述像素阵列部被配置成具有呈二维布置的多个单位像素，各所述单位像素至少设有光电转换部、传输部和复位部，所述传输部被配置用来将所述光电转换部中所累积的电荷传输至电荷保持部，所述复位部被配置用来将所述电荷保持部的电荷复位；以及驱动控制部，所述驱动控制部被配置用来控制所述单位像素的驱动。所述驱动控制部以如下方式来控制所述单位像素的驱动：在所述传输部进行电荷传输之前，所述复位部以所述像素阵列部中的互不相邻的多行所述单位像素为单位将所述电荷保持部的电荷复位。根据本发明，能够提高所拍摄图像的质量。
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公开(公告)号：CN113542632B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110677185.X
申请日：2017-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N25/40 , H04N25/59 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及成像装置和成像设备。其中，成像装置可包括：第一像素，所述第一像素包括：第一光电转换区；第一电荷保持区，所述第一电荷保持区经由第一传输晶体管连接到所述第一光电转换区；和第一切换晶体管，所述第一切换晶体管配置为将所述第一电荷保持区连接到第二电荷保持区；第二像素，所述第二像素包括：第二光电转换区；和第三电荷保持区，所述第三电荷保持区经由第二传输晶体管连接到所述第二光电转换区；以及像素连接电路，所述像素连接部连接到所述第二电荷保持区和所述第三电荷保持区。
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公开(公告)号：CN102196199A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110052453.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态拍摄装置、驱动固态拍摄装置的方法以及电子设备，该固态拍摄装置包括：包括二维地排列以形成矩阵的单位像素的像素阵列单元，所述单位像素各自使用光电转换器件、传输晶体管、第一电荷累积单元、读晶体管、第二电荷累积单元、复位晶体管和放大晶体管；驱动单元；以及校正单元。
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公开(公告)号：CN109155831B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201780030726.1
申请日：2017-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明能够在防止像素面积增加的同时切换像素的转换效率。本发明的固体摄像装置包括多个像素、像素连接部和像素复位部。所述多个像素各自包括：光电转换部，其产生与照射光对应的电荷；电荷保持部，其保持所产生的电荷；以及信号生成部，其生成与所保持的电荷对应的信号以作为图像信号。所述像素连接部在所述多个像素的各个所述电荷保持部之间导通，由此允许由所述多个像素中的一个像素的所述光电转换部产生的电荷被所述多个像素的每一个所述电荷保持部保持。当所述像素连接部在所述多个像素的各个所述电荷保持部之间导通时，所述像素复位部排出并复位所述多个像素的各个所述电荷保持部的电荷。
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公开(公告)号：CN103378120A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310168084.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件及包括该固体摄像器件的摄像装置。该固体摄像器件包括：光电转换元件，其形成在半导体基板中；第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；以及第一存储部，其靠近于所述第一隐埋栅极电极形成，其中，所述第一存储部形成为埋入在所述半导体基板中。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
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公开(公告)号：CN102034839B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010291951.0
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、包括该固体摄像器件的摄像装置及固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括：半导体基板以及多个像素电路，多个像素电路中的每一个包括：光电转换元件；靠近光电转换元件形成的第一隐埋栅极电极；远离光电转换元件和第一隐埋栅极电极中每一个形成的第二隐埋栅极电极；形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间的第一扩散层；以及远离所述第一扩散层形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间、与第一扩散层重叠的第二扩散层，其中累积在光电转换元件中的电荷通过第一扩散层传输到第二扩散层。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
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公开(公告)号：CN113542633A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110677247.7
申请日：2017-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/341 , H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明涉及成像装置和成像设备。其中，成像装置可包括：第一像素，所述第一像素包括：第一光电转换区；第一电荷保持区，所述第一电荷保持区经由第一转移晶体管连接到所述第一光电转换区；第一切换晶体管，所述第一切换晶体管配置为将所述第一电荷保持区连接到第二电荷保持区；和复位晶体管，所述复位晶体管连接到所述第一电荷保持区；第二像素，所述第二像素包括：第二光电转换区；和第三电荷保持区，所述第三电荷保持区经由第二转移晶体管连接到所述第二光电转换区；以及像素连接电路，所述像素连接电路连接到所述第二电荷保持区和所述第三电荷保持区。
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公开(公告)号：CN103378120B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310168084.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件及包括该固体摄像器件的摄像装置。该固体摄像器件包括：光电转换元件，其形成在半导体基板中；第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；以及第一扩散层，其靠近于所述第一隐埋栅极电极形成，其中，所述第一扩散层形成为埋入在所述半导体基板中。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
