本发明涉及固体摄像器件、包括该固体摄像器件的摄像装置及固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括：半导体基板以及多个像素电路，多个像素电路中的每一个包括：光电转换元件；靠近光电转换元件形成的第一隐埋栅极电极；远离光电转换元件和第一隐埋栅极电极中每一个形成的第二隐埋栅极电极；形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间的第一扩散层；以及远离所述第一扩散层形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间、与第一扩散层重叠的第二扩散层，其中累积在光电转换元件中的电荷通过第一扩散层传输到第二扩散层。根据本发明，能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。