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公开(公告)号：CN106233463A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020776.2
申请日：2015-03-25
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: C09J163/00 , C01B33/18 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C08G59/42 , C08G59/5073 , C08K3/013 , C08K3/36 , C08K2201/014 , C08L33/06 , C09C1/30 , C09J7/10 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/52 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16146 , H01L2224/271 , H01L2224/29006 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片的、能够在抑制空隙的同时良好地连接贯通电极且能够抑制在半导体芯片的周围突出的毛刺的长度的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜。本发明的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，其中，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636773B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201680033290.7
申请日：2016-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种将导电性粒子中的焊锡选择性地配置在电极上，可以提高导通可靠性的导电材料。本发明的导电材料含有多个导电性粒子和热固化性成分，所述导电性粒子在导电部的外表面部分具有焊锡，从25℃以10℃/分钟的升温速度分别对所述导电性粒子和所述热固化性成分进行加热而进行差示扫描量热测定时，显示源自所述导电性粒子中的焊锡熔融的吸热峰的温度区域和显示源自所述热固化性成分固化的放热峰的温度区域在至少一部分重复。
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公开(公告)号：CN107636774A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033297.9
申请日：2016-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种导电材料，其可以将导电性粒子中的焊锡选择性地配置在电极上，且即使电极宽度及电极间宽度变窄，也可以抑制迁移而较低地维持连接电阻。本发明的导电材料含有：在导电部的外表面部分具有焊锡的多个导电性粒子、热固化性化合物、酸酐热固化剂，所述导电材料在50℃下的粘度为10Pa·s以上、200Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN107636773A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033290.7
申请日：2016-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种将导电性粒子中的焊锡选择性地配置在电极上，可以提高导通可靠性的导电材料。本发明的导电材料含有多个导电性粒子和热固化性成分，所述导电性粒子在导电部的外表面部分具有焊锡，从25℃以10℃/分钟的升温速度分别对所述导电性粒子和所述热固化性成分进行加热而进行差示扫描量热测定时，显示源自所述导电性粒子中的焊锡熔融的吸热峰的温度区域和显示源自所述热固化性成分固化的放热峰的温度区域在至少一部分重复。
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公开(公告)号：CN107636774B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201680033297.9
申请日：2016-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种导电材料，其可以将导电性粒子中的焊锡选择性地配置在电极上，且即使电极宽度及电极间宽度变窄，也可以抑制迁移而较低地维持连接电阻。本发明的导电材料含有：在导电部的外表面部分具有焊锡的多个导电性粒子、热固化性化合物、酸酐热固化剂，所述导电材料在50℃下的粘度为10Pa·s以上、200Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105308730A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480034106.1
申请日：2014-08-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J11/06 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81091 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83986 , H01L2224/9211 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制空隙的半导体用粘接剂。本发明的半导体用粘接剂用于具有下述工序的半导体装置的制造方法：工序1，将半导体芯片介由半导体用粘接剂而对位于基板上，该半导体芯片在周缘部、及与该周缘部相比的内侧的半导体芯片面内形成有突起电极，该突起电极具有包含焊料的前端部；工序2，将所述半导体芯片加热至焊料熔点以上的温度而使所述半导体芯片的突起电极与所述基板的电极部熔融接合，并使所述半导体用粘接剂临时粘接；工序3，在加压气氛下加热所述半导体用粘接剂而去除空隙；其中，所述半导体用粘接剂在80～200℃的最低熔融粘度为1000Pa·s以下，通过小泽法求出在260℃下达到反应率40％所需的时间为8秒以上。
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