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公开(公告)号：CN118922582A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380026980.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。
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公开(公告)号：CN118871617A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026984.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。
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公开(公告)号：CN115702257B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202180043888.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
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公开(公告)号：CN119736612A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411844279.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/52 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中A为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烷基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。
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公开(公告)号：CN118872027A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027561.8
申请日：2023-10-11
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/02 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118871612A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026982.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，将阶梯覆盖率改善剂和扩散改善剂并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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公开(公告)号：CN117452766A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310811505.5
申请日：2023-07-03
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。
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公开(公告)号：CN117015630A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018618.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/08
Abstract: 本发明涉及一种金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含金属薄膜前体化合物以及具有预定的端基和结构的生长调节剂的金属薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述金属薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。
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公开(公告)号：CN116897222A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202380009417.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04
Abstract: 本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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公开(公告)号：CN115768921A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180046700.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
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